[发明专利]具有吸光金属纳米颗粒层的显示器件

权利要求书

1.一种显示器件，包括：

阴极；

阳极；

设置在所述阴极和所述阳极之间的发光区域；以及

光吸收层，含有：i)金属纳米颗粒；以及ii)无机基材，其中在所述光吸收层中金属纳米颗粒总体的平均颗粒大小从约2nm至约20nm，并且所述金属纳米颗粒具有的不超过+/-75％的颗粒大小分布；

其中所述金属纳米颗粒完全嵌入在、或部分嵌入在所述基材中；以及

其中所述阴极含有所述光吸收层。

2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述金属纳米颗粒具有不超过±50％的颗粒大小分布。

3.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述金属纳米颗粒具有不超过±25％的颗粒大小分布。

4.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述光吸收层中金属纳米颗粒总体的平均颗粒大小从约5nm至约15nm。

5.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述光吸收层中金属纳米颗粒总体的平均颗粒大小为约10nm。

6.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述金属纳米颗粒具有选自矩形、非矩形、二维结构、三维结构及其组合的形状。

7.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述金属纳米颗粒具有选自球形、扁球形、扁长球体、椭圆体、棒、柱、锥形、盘状、立方以及矩形。

8.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述基材选自由ZnTe和ZnSe构成的组中。

9.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述光吸收层位于所述阳极和所述阴极之外。

10.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述光吸收层位于所述发光区域内。

11.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述光吸收层位于所述阳极内。

12.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述金属纳米颗粒选自Ag、Au、Cu、Se、Te、As、Zn、Sn、Ga、Co、Pt、Pd、Ni、In、Ti、它们的合金，以及金属和它们的合金的组合。

13.一种显示器件，包括：

任意基板；

第一电极；

第二电极；

发光区域，设置在所述第一和第二电极之间；以及

光吸收层，含有：

金属纳米颗粒；以及

无机基材；

其中，所述金属纳米颗粒的平均颗粒大小从约2nm至约20nm，并且具有不超过±75％的颗粒大小分布；

其中所述金属纳米颗粒完全嵌入在、或部分嵌入在所述基材中；以及

其中所述光吸收层位于所述第一电极或第二电极之一内。

14.根据权利要求13所述的显示器件，其特征在于，所述金属纳米颗粒的平均颗粒大小为从约5nm至约15nm。

15.根据权利要求13所述的显示器件，其特征在于，所述金属纳米颗粒具有不超过±50％的颗粒大小分布。

16.根据权利要求13所述的显示器件，其特征在于，所述金属纳米颗粒的平均颗粒大小为约10nm。

17.根据权利要求13所述的显示器件，其特征在于，所述金属纳米颗粒具有不超过±25％的颗粒大小分布。

18.根据权利要求13所述的显示器件，其特征在于，所述无机材料含有选自由选自I、II、III族金属的金属以及选自IIIA、IVA、以及VA族的元素种类、过渡金属以及它们的组合所组成的组的组分。

19.根据权利要求13所述的显示器件，其特征在于，所述光吸收层具有从约10nm至约100nm的厚度。

20.根据权利要求13所述的显示器件，其特征在于，所述光吸收层含有多层。

21.根据权利要求20所述的显示器件，其特征在于，所述光吸收层具有从约10nm至约100nm的厚度。

22.根据权利要求13所述的显示器件，其特征在于，所述第一电极是阴极，所述阴极含有所述光吸收层。