[发明专利]一种消除MOS开关管内二极管关断损耗的简单方法无效
申请号: | 201110359892.0 | 申请日: | 2011-11-14 |
公开(公告)号: | CN103107691A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 张兆良 | 申请(专利权)人: | 上海英孚特电子技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201107*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 消除 mos 开关 二极管 损耗 简单 方法 | ||
【权利要求书】:
1.两个与半桥式变换器输出线圈耦合的圈数很少的绕组(可能少到一圈)分别串入变换器的两个MOS开关管的电流通路中(可从D极串入,也可从S极串入,本说明中采用了从D极串入的方法),绕组能感应出一个反向低电压使MOS开关管内二极管断开,使这部分电流从外电路流过。
2.两个超快恢复二极管,其正极分别与两个MOS开关管S极相连接,负极各经上述绕组中的一个后再与相应的一个MOS管D极连接(见附图2),使之流过原来从MOS开关管内二极管流过的电流。从而消除MOS开关管内二极管的关断损耗。
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H02 发电、变电或配电
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H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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