[发明专利]一种去除深沟槽内氧化膜残留的方法

权利要求书

1.一种去除深沟槽内氧化膜残留的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，在硅衬底上刻蚀形成深沟槽；

步骤2，在深沟槽内生长一层氧化膜；

步骤3，利用HF和H2O的混合蒸汽去除深沟槽内的氧化膜。

2.如权利要求1所述的去除深沟槽内氧化膜残留的方法，其特征在于，步骤1中，所述刻蚀形成深沟槽采用干法刻蚀。

3.如权利要求1或2所述的去除深沟槽内氧化膜残留的方法，其特征在于，步骤1中，所述深沟槽的宽度为0.01-10微米，深度为0.5-200微米。

4.如权利要求1所述的去除深沟槽内氧化膜残留的方法，其特征在于，步骤2中，所述生长氧化膜采用热氧化工艺，热氧化生长的温度为600-1200℃，氧化膜的厚度为100-5000埃。

5.如权利要求1所述的去除深沟槽内氧化膜残留的方法，其特征在于，步骤3中，所述HF比H2O的体积比为(0.1-50)∶100。

6.如权利要求1或5所述的去除深沟槽内氧化膜残留的方法，其特征在于，步骤3中，所述HF和H2O的混合蒸汽的形成由其混合溶液汽化而制得，或者由二者的气体混合而得。