[发明专利]液晶显示器及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，特别涉及一种不需要隔垫物也能够维持盒厚的液晶显示器及其制作方法。

背景技术

现有的薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)中，通常通过隔垫物(Ball Spacer，BS或Photo Spacer，PS)来支撑彩膜(Color Filter，CF)基板和阵列基板，使彩膜基板和阵列基板之间形成用于容置液晶的间隙。如图1所示，为现有技术中液晶显示器的结构示意图，其包括对盒的彩膜基板和阵列基板，其中彩膜基板包括透明基板1，透明基板1上形成有黑矩阵(Black Matrix，BM)2和彩色滤光片3，黑矩阵2和彩色滤光片3上形成有公共电极4，公共电极4上形成有配向膜5；阵列基板包括透明基板1’，透明基板1’上形成有栅极(Gate)17，栅极17上形成有栅极绝缘层(Gate Insulator)11，栅极绝缘层11上形成有源极/漏极(Source/Drain，S/D)层8，有源(Active)层9，像素电极层10，源极/漏极层8和像素电极层10上形成有绝缘层(PVX层)7，绝缘层7上形成有配向膜5。彩膜基板的配向膜5和阵列基板的配向膜5之间具有隔垫物14，将彩膜基板和阵列基板之间隔出间隙，用于维持盒厚，容置液晶12。

2001年Y.Matsumoto等人报道，将少量Co注入宽禁带半导体TiO2而形成的稀释磁性半导体具有室温铁磁性，由于TiO2本身有很好的物化特性，如高的折射率、在可见光和红外范围极好的透光性，因此CoxTi1-xO2又被称为透明铁磁体。日本物质材料研究机构(NIMS)也已开发出一种新型薄膜状透明磁性半导体，该半导体是通过在Ti1-δO2(即将光触媒材料TiO2做成薄膜状)中添加Co和Fe磁性元素而制成的Ti0.8Co0.2O2和Ti0.6Fe0.4O2。其厚度能达到约1nm，为迄今开发的材料中最薄的透明磁性材料。现有技术已经成熟地利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)，成功的在低温下制备出具有室温铁磁性的Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜，并系统的研究了薄膜的结构，表面形貌，光学性质和磁学性质。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供一种液晶显示器，使其在没有隔垫物的情况下也能够维持一定的盒厚。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种液晶显示器，包括对盒的彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和阵列基板均包括透明基板，所述彩膜基板和阵列基板的透明基板上分别形成有透明磁性薄膜层。

其中，所述透明磁性薄膜层包括掺杂物和被掺杂物，所述掺杂物为含有磁性过渡族金属元素的乙酰丙酮盐中的一种或多种；所述被掺杂物为含有非磁性过渡族金属元素的乙酰丙酮盐中的一种或多种。

所述磁性过渡族金属元素包括Fe、Co、Ni和Mn中的一种或多种；所述非磁性过渡族金属元素包括Zn、Zr、Ti及Ga中的一种或多种。

所述彩膜基板的透明基板上形成有黑矩阵，所述黑矩阵上形成有彩色滤光片，所述彩色滤光片上形成有公共电极，所述透明基板与黑矩阵之间，或所述黑矩阵和彩色滤光片之间，或所述彩色滤光片与公共电极之间，或所述公共电极上形成有所述透明磁性薄膜层。

所述阵列基板的透明基板上形成有栅极，所述栅极上形成有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上形成有有源层、像素电极层和源极/漏极层，所述源极/漏极层和像素电极层上形成有绝缘层，所述透明基板与栅极之间，或所述栅极与栅极绝缘层之间，或所述栅极绝缘层与有源层、像素电极层和源极/漏极层之间，或所述源极/漏极层和像素电极层与绝缘层之间，或所述绝缘层上形成有所述透明磁性薄膜层。

进一步地，所述彩膜基板的最外层和阵列基板的最外层上分别形成有配向膜。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种液晶显示器的制作方法，包括以下步骤：

步骤S1、制备彩膜基板，包括，在透明基板上形成黑矩阵，在所述黑矩阵上形成彩色滤光片，在所述彩色滤光片上形成公共电极，在所述透明基板与黑矩阵之间，或所述黑矩阵和彩色滤光片之间，或所述彩色滤光片与公共电极之间，或所述公共电极上形成所述透明磁性薄膜层；