[发明专利]一种ITO陶瓷靶制备方法

权利要求书

1.一种ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于，包括以下操作：

①以ITO粉为原料，与有机单体，胶联剂、有机分散剂和水制成悬浮液，并加入引发剂至所述悬浮液中反应得到混合浆料；

②接着将所得的混合浆料注入模具中静置；

③干燥脱模后在1200-1700℃下烧结该素坯，即得致密ITO陶瓷靶。

2.根据权利要求1所述的ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于：所述操作①中分散剂为聚甲基丙烯酸铵或四基氢氧化铵，分散剂占悬浮液质量的0.2-1％。

3.根据权利要求1所述的ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于：所述操作①中有机单体为甲基丙烯酰胺或甲基丙烯酸。

4.根据权利要求1所述的ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于：所述操作①中胶联剂为NN-亚甲基双丙烯酰胺或聚双甲基丙烯酸，有机单体与所述的胶联剂的质量比为2-6∶1。

5.根据权利要求1所述的ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于：所述操作①中引发剂为NH₄S₂O₄或偶氮(2-眯基丙烷)盐酸盐，且其加入量为有机单体质量的0.5-1％。

6.根据权利要求1或3所述的ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于：所述的有机单体占悬浮液质量的15％。

7.根据权利要求1所述的ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于：所述的操作①中ITO粉占悬浮液质量的40-50％。

8.根据权利要求1所述的ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于：所述的ITO粉在制备成悬浮液过程中分三步加入，每次加入的量分别为ITO粉总质量的1/2、1/4、1/4，并且每次加入后使用球磨进行排气处理。

9.根据权利要求1所述的ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于：所述操作②中静置温度为室温至80℃，时间1-20小时。

10.根据权利要求1所述的ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于：所述操作③中干燥脱模后以0.1-5℃/min升温大到300-600℃，并保温1-5小时，所述烧结环境为富氧。