[发明专利]在柔性薄膜光伏电池制造中喷淋电极同时沉积薄膜的技术无效
申请号: | 201110360851.3 | 申请日: | 2011-11-15 |
公开(公告)号: | CN102394255A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 奚建平 | 申请(专利权)人: | 苏州思博露光伏能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人: | 朱建民 |
地址: | 215153 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 薄膜 电池 制造 喷淋 电极 同时 沉积 技术 | ||
技术领域
本发明涉及到柔性薄膜光伏电池制造技术,特别涉及到PECVD制备过程中喷淋电极同时沉积薄膜的技术。
背景技术
在本发明提出之前,在柔性薄膜光伏电池的制造过程中,PECVD(等离子体增强化学气相沉积)制备作业是十分重要的工艺过程。系统在电极之间加上电压时,由阴极发射出来的电子在电场被加速而获得能量,通过与反应室中的气体或分子碰撞,使其分离,激发或电离,形成了很多电子,离子和活性基团。粒子所带的正的和负总电荷相等,是一种等离子体。组成等离子体的这些粒子,经过一系列的物理—化学反应过程,就沉积在基材上而形成薄膜。PECVD作业是在真空设备中进行的,该设备中有相互对应的电极,电极与设备外的射频电源连接在一起。利用射频电源对电极进行加热,达到规定温度时,获得能量的电子就开始PECVD作业,直到基材上的薄膜达到一定的要求时,PECVD作业才停止进行。由于要产生等离子体,需要向设备内输入诸如SiH4、PH3、H2等的气体,这样在真空设备上设置了气体的进、出口端子。诸气体所形成的混合体在进入真空设备之后进入具有小孔的电极(称之为喷淋电极),随后喷向另一个复盖着基材的电极,在基材上沉积而形成薄膜。虽然气体垂直于电极,进行喷淋对PECVD法制备光伏电池薄膜具有均匀性好的优点,但是喷淋电极不再能用来进行光伏电池薄膜沉积,设备产能打了对折,电极清洗作业大为增加。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术中的不足,提出一种在柔性薄膜光伏电池制造中喷淋电极同时沉积薄膜的技术。进入设备的气体一方面向电极垂直喷淋,另一方面在基材上沉积形成薄膜。既提高设备产能,又减少了电极清洗作业。
本发明是通过以下的技术措施来实现的。在柔性薄膜光伏电池制造中喷淋电极同时沉积薄膜的技术,包括内部装有相互对应的喷淋电极和基体电极的真空设备,所述的电极与外部的射频电源相互连接;在所述的基体电极上和所述的喷淋电极上均附有电池基材;所述的喷淋电极内部有气体通道,喷淋电极与所附有的电池基材上均有小孔。
所述的喷淋电极上的小孔与所附有的电池基材上的小孔一一对应。
所述的小孔依矩阵或同心圆阵排列。
本发明采用上述技术措施后,在PECVD作业开始进行时,利用射频电源对喷淋电极和基体电极进行加热,达到作业温度后开始PECVD作业。与此同时,SiH4、PH3、H2等的气体通过气体的进口端子进入喷淋电极的气体通道,随后气体通过喷淋电极上的小孔和所附有的电池基材上的相对应的小孔垂直喷向基体电极上的电池基材,同时喷淋电极上的电池基材也获得喷淋的气体,实现薄膜沉积。这样,喷淋电极上的电池基材的表面和基体电极上的电池基材的表面均获得薄膜沉积,均可以制备薄膜光伏电池。设备的产能可以成倍的增加,设备的生产能力得以充分发挥,设备的利用率均有所提高;电极清洗作业量可以极大地减少。
附图说明
附图1为本发明的实施例中的设备示意图。
附图2为附图1中的A部放大图。
附图3为附图2中的B向视图。
图中:1为真空设备,2为喷淋电极,3为基体电极,4为射频电源,5为电池基材,6为气体通道,7为小孔。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
实施例,如图1所示,在柔性薄膜光伏电池制造中进行PECVD作业的设备,包括真空设备1,在真空设备1的内部装有相互对应的喷淋电极2和基体电极3,真空设备1的外部有射频电源4, 喷淋电极2和基体电极3别与射频电源4相互连接,喷淋电极2和基体电极3均附有电池基材5;又如图2和图3所示,在喷淋电极2内部有气体通道6,喷淋电极2与所附有的电池基材5上均有小孔7,小孔7的孔径为0.05毫米,呈矩阵排列;喷淋电极2上的小孔7与所附有的电池基材5上的小孔7一一对应。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的