[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管模块及其制作方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管模块，其特征在于，所述模块包括：

基板；

位于所述基板上面、所述模块内部的绝缘栅双极晶体管芯片、快恢复二极管芯片；

模块外表面的外部电极端子；

其中，所述基板与所述绝缘栅双极晶体管芯片之间、基板与所述快恢复二极管芯片之间采用低温键合实现连接。

2.根据权利要求1所述的模块，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管芯片以及快恢复二极管芯片正面的电极采用引线进行互连，并通过辅助电极引出模块外部，实现与所述外部电极端子的连接。

3.根据权利要求1所述的模块，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管芯片以及快速恢复二极管芯片正面电极与相应的外部电极端子采用低温键合实现连接。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的模块，其特征在于，所述采用低温键合实现连接为：

所述低温键合的连接介质为银键合层。

5.根据权利要求1所述的模块，其特征在于，所述基板上表面为金属化层。

6.根据权利要求1所述的模块，其特征在于，所述基板为导电材料。

7.一种绝缘栅双极晶体管模块，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板上面、所述模块内部的绝缘栅双极晶体管芯片、快恢复二极管芯片；

模块外表面的外部电极端子；

其中，所述外部电极端子与绝缘栅双极晶体管芯片以及快速恢复二极管芯片正面相应的电极采用低温键合实现连接。

8.根据权利要求7所述的模块，其特征在于，所述基板与所述绝缘栅双极晶体管芯片之间、基板与所述快恢复二极管芯片之间采用焊接实现连接。

9.根据权利要求7或8所述的模块，其特征在于，所述采用低温键合实现连接为：

所述低温键合的连接介质为银键合层。

10.一种绝缘栅双极晶体管模块的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基板，将绝缘栅双极晶体管芯片、快恢复二极管芯片采用低温键合方法键合到所述基板上；

实现所述绝缘栅双极晶体管芯片以及快恢复二极管芯片与外部电极端子的连接。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述实现所述绝缘栅双极晶体管芯片以及快恢复二极管芯片与外部电极端子的连接为：

将所述绝缘栅双极晶体管芯片以及快恢复二极管芯片正面的电极采用引线进行互连，并通过辅助电极引出模块外部，实现与所述外部电极端子的连接。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述实现所述绝缘栅双极晶体管芯片以及快恢复二极管芯片与外部电极端子的连接为：

将外部电极端子采用低温键合方法键合到所述绝缘栅双极晶体管芯片以及快恢复二极管芯片正面相应的电极上。

13.一种绝缘栅双极晶体管模块的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基板，将绝缘栅双极晶体管芯片、快恢复二极管芯片连接到所述基板上；

将外部电极端子采用低温键合方法键合到所述绝缘栅双极晶体管芯片以及快恢复二极管芯片正面相应的电极上。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述将绝缘栅双极晶体管芯片、快恢复二极管芯片连接到所述基板上为：

将绝缘栅双极晶体管芯片、快恢复二极管芯片采用焊接方法固定到所述基板上。