[发明专利]机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法

权利要求书

1.一种机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火，退火温度在200℃至1250℃范围内可任意选择；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SOI晶圆的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SOI晶圆回复原状。

2.根据权利要求1所述的的制作方法，其特征在于，所述的弯曲台的曲率半径可从1.2m到0.4m连续变化，其对应制作不同应变量的单轴应变SOI晶圆；弯曲台材料采用金属钼材料。

3.根据权利要求1所述的的制作方法，其特征在于，所述步骤4)的退火工艺为：在200℃下退火10小时；或者在800℃下退火2.5小时；或者在1250℃下退火1.5小时。

4.根据权利要求1所述的的制作方法，其特征在于，所述SOI晶圆为3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸、16英寸的SOI晶圆。