[发明专利]基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法有效
| 申请号： | 201110361521.6 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102437019A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 戴显英;李志;邵晨峰;王船宝;郝跃;张鹤鸣;王晓晨 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/74 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 机械 弯曲 sin 绝缘 层上单轴 应变 sgoi 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SGOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SGOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SGOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火，退火温度在250℃至1250℃范围内可任意选择；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SGOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SGOI晶圆回复原状。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的弯曲台的曲率半径可从1.2m到0.4m连续变化，其对应制作不同应变量的单轴应变SGOI晶圆；弯曲台材料采用ZG40Cr25Ni20耐热钢材料。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤4)的退火工艺为：在250℃下退火10小时；或者在800℃下退火3小时；或者在1250℃下退火2小时。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述SGOI晶圆为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸的SGOI晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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