[发明专利]电化学和固体硫化法在基片上制备CuInS₂的方法无效

申请号：	201110362187.6	申请日：	2011-11-16
公开（公告）号：	CN102368512A	公开（公告）日：	2012-03-07
发明（设计）人：	于丹阳;汪振中;沙金	申请（专利权）人：	上海大学
主分类号：	H01L31/18	分类号：	H01L31/18;C25C1/12;C25C1/22;C23C8/62
代理公司：	上海上大专利事务所(普通合伙) 31205	代理人：	顾勇华
地址：	200444***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	电化学固体硫化基片上制备 cuins sub 方法
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【权利要求书】：

1.一种电化学和固体硫化法在基片上制备CuInS₂薄膜的方法，其特征在于该方法具有以下的工艺过程和步骤：

a．将纯度99.9～99.99 % 衬底Ni基片和99.999%Cu片放置到0.78～0.80M的CuSO₄和0.046～0.048M H₂SO₄混合溶液中，使用YJ63直流稳压稳流电源通电流20～30mA ，经40～60秒，制备前期样片；

b．将纯度99.9～99.99%In片和上述前期样片放置到0.086～0.088M的In₂（SO₄）₃和0.030～0.032M 的Na₂SO₄混合溶液中，用电化学方法在15～35℃温度下，通电流10～20mA ，经60～80秒，制备得CuIn薄膜样片；

c．将上述制备出的CuIn样片和99.5%的粉末S放入箱式电炉中，加热150～320℃，进行30～40min的合金化和固体硫化处理，最终在Ni基片制得CuInS₂薄膜。

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