[发明专利]TFT阵列基板及显示设备

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示技术领域，特别涉及一种TFT阵列基板及显示设备。

背景技术

TN、IPS、VA、ADS是液晶显示的几种模式，其中，ADS是ADSDS(ADvanced Super Dimension Switch)的简称，即高级超维场转换技术，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

ADS模式薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板制作过程中，第一层为透明像素电极层(通常为ITO)，即为上述的板状电极，其后为栅金属层、源漏金属电极层、第二层像素电极层(通常为ITO)，即为上述的狭缝状电极，为了说明方便，将第二层像素电极层中多条具有一定宽幅和间距的条状结构称为条状像素电极。这些条状结构和条状结构之间的开口形成了狭缝状电极。

ADS模式TFT像素结构一直在发生演变。早期结构为单畴结构，如图1所示，包括：栅线102，数据线103、第二像素电极层101、及位于第二像素电极层101上的条状像素电极101a和第二像素电极层的开口101b。数据线103连接TFT的漏极103a，TFT的源极103b与第二像素电极层101连接。图中同一个子像素内条状像素电极方向一致。后来一种两畴结构被提出，该结构中子像素分为左右两部分，两部分的条状像素电极左右对称，色差可以进一步降低，但子像素中央两畴交界处有竖长条黑纹产生。后来美国专利US 2002/0041354提出了一种像素结构设计，如图2所示，该像素同样具有两畴结构，分为上下两部分，两部分的条状像素电极上下对称，具备低色差效果的同时减少了畴交界处的黑纹区域，提升了穿透特性。

但现有技术都未能解决像素边缘处的黑纹。ADS模式TFT像素边缘处，由于栅线或数据线产生的扰动电场，并且由于像素电极边缘得影响，该处的电场方向与像素内部驱动液晶的边缘场方向不一致，使得像素边缘处出现液晶取向紊乱，图1和图2中的A，B分别为数据线和栅线附近的液晶取向紊乱区域。出现黑纹影响透过率和响应速度。为改善显示效果，一般在对向彩膜基板上制作较宽的黑矩阵来遮挡取向紊乱区域，这就造成了开口率的降低，因此降低了穿透率。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何克服像素边缘黑纹区域过多的缺点，从而提高开口率和穿透率。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种TFT阵列基板，包括：形成在基板上的栅线和数据线；栅线和数据线交叉定义的若干个子像素单元，每个所述子像素单元包括薄膜晶体管器件、公共电极、第一像素电极层和第二像素电极层；所述第一像素电极层和所述第二像素电极层之一与公共电极连接，另一像素电极层与薄膜晶体管的源极或漏极连接，第一像素电极层和第二像素电极层通过绝缘层隔开；第二像素电极层位于第一像素电极层的上方，第二像素电极层的条状像素电极的图形与第一像素电极层的图形上下重叠，所述条状像素电极与液晶初始取向具有3°～15°的倾斜角度，所述栅线或数据线与靠近自己的所述条状像素电极平行。

其中，所述倾斜角度为3°～15°。

其中，所述倾斜角度为7°～12°。

其中，所述第二像素电极层的若干条状像素电极相互平行。

其中，所述栅线与第二像素电极层的条状像素电极平行，所述数据线与所述液晶初始取向垂直。

其中，所述数据线与第二像素电极层的条状像素电极平行，所述栅线与所述液晶初始取向垂直。

其中，所述第二像素电极层的若干条状像素电极分为相互对称的两组。

其中，所述栅线与第二像素电极层中靠近自己的一组条状像素电极平行，所述数据线与所述液晶取向垂直。

其中，数据线的第一部分与第二像素电极层中靠近自己的一组条状像素电极平行，数据线的第二部分与第二像素电极层中靠近自己的另一组条状像素电极平行，所述栅线与所述液晶取向垂直。

其中，沿所述液晶初始取向的方向上，两个邻接的子像素结构中的条状像素电极相互对称，沿所述液晶初始取向的垂直方向上，两个邻接的子像素结构中的邻接的条状像素电极相互平行。

本发明还提供了一种显示设备，所述显示设备中的阵列基板为上述任一项所述的TFT阵列基板。