[发明专利]一种液晶面板及其制造方法和显示器有效
申请号: | 201110362380.X | 申请日: | 2011-11-15 |
公开(公告)号: | CN102650772A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 赵承潭;闵泰烨;陈旭;林海云;李辉 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1339 | 分类号: | G02F1/1339;G02F1/1343;G02F1/1335;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 李娟 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶面板 及其 制造 方法 显示器 | ||
1.一种液晶面板,包括:阵列基板和彩膜基板通过第一封框胶将所述液晶填充在液晶面板显示区;其特征在于,还包括:
位于液晶面板非显示区的、在阵列基板与彩膜基板之间构成的至少一个真空的液晶缓冲区;以及
连通所述液晶缓冲区和液晶面板显示区的、设置于所述阵列基板和/或彩膜基板上的液晶通道;以及
位于所述液晶通道与所述液晶面板显示区相连处、隔断所述液晶通道与所述液晶面板显示区连通的覆盖层;以及
位于所述液晶通道下方的第一电极层和位于所述覆盖层上方的第二电极层;
当所述液晶面板显示区中的液晶量超过预定阈值时,在所述第一电极层和所述第二电极层上施加电压,形成电场,击穿所述覆盖层,使所述液晶面板显示区通过所述液晶通道与所述液晶缓冲区连通。
2.如权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述液晶缓冲区在所述阵列基板和所述彩膜基板之间,由所述第一封框胶和第二封框胶构成,或者由第二封框胶构成。
3.如权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述液晶通道为所述阵列基板和/或所述彩膜基板与所述液晶接触的表面上的至少一条沟槽。
4.如权利要求3所述的液晶面板,其特征在于,所述沟槽为带状沟槽。
5.如权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述液晶通道位于阵列基板时,所述第一电极层为源漏电极层,所述第二电极层为公共电机层。
6.如权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述覆盖层的材料为树脂材料。
7.一种显示器,其特征在于,包括:如权利要求1-6中任一所述的液晶面板。
8.一种液晶面板的制作方法,其特征在于,包括:
在阵列基板和/或彩膜基板接触液晶的表面制作液晶通道;所述液晶通道下方具有第一电极层;
在所述液晶通道上形成覆盖层;
在所述覆盖层上形成第二电极层;
在所述阵列基板和/或彩膜基板的液晶面板显示区边缘的覆盖层上覆盖第一封框胶,在液晶面板非显示区边缘覆盖第二封框胶;在所述阵列基板与彩膜基板之间构成至少一个真空的液晶缓冲区,所述液晶缓冲区通过所述液晶通道与所述液晶面板显示区相连;
在所述液晶面板显示区内滴注液晶后,将所述阵列基板和所述彩膜基板进行对盒;
其中,当所述液晶面板显示区中的液晶量超过预定阈值时,在所述第一电极层和所述第二电极层上施加电压,形成电场,击穿所述覆盖层,使所述液晶面板显示区通过所述液晶通道与所述液晶缓冲区连通。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,在阵列基板接触液晶的表面制作液晶通道,包括:
在玻璃基板上依次制作栅层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层和钝化层;所述源漏电极层作为第一电极层;
通过过孔工艺,在所述钝化层上表面制作一条或一条以上的沟槽作为液晶通道。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于,在彩膜基板接触液晶的表面制作液晶通道,包括:
在玻璃基板上制作黑色矩阵、彩膜树脂;
在制作黑色矩阵或彩膜树脂的过程中,在玻璃基板的非显示区形成非显示区树脂;
在彩膜树脂和非显示区树脂上形成公共电极层作为第一电极层;
通过刻蚀工艺,在所述公共电极层上表面制作一条或一条以上的沟槽作为液晶通道。
11.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于,在所述液晶通道上形成覆盖层,包括:在所述沟槽上覆盖树脂材料,形成覆盖层,隔断所述液晶通道和所述液晶面板显示区之间的连通。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,在所述覆盖层上形成第二电极层,包括:
在阵列基板接触液晶的表面制作液晶通道时,在所述覆盖层上形成公共电极层作为第二电极层;
在彩膜基板接触液晶的表面制作液晶通道时,在所述公共电极层的沟槽的覆盖层上形成第二电极层。
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