[发明专利]一种高压硅堆二极管的焊接工艺无效

专利信息
申请号: 201110362717.7 申请日: 2011-11-16
公开(公告)号: CN102489806A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 王永彬 申请(专利权)人: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
主分类号: B23K1/00 分类号: B23K1/00;B23K35/26
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 225008 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 二极管 焊接 工艺
【权利要求书】:

1.一种高压硅堆二极管的焊接工艺,所述高压硅堆二极管包括相互同轴的上引线和下引线,在上引线和下引线之间焊接有三只正方形芯片,其特征在于,所述高压硅堆二极管的焊接步骤如下:

1)、一次焊接;将所述下引线置入焊接模具中,然后往所述下引线上端头依次交错叠放焊片和芯片;加温至焊接温度,保温5-15分钟,随后冷却至焊片固化;

2)、二次焊接;焊片固化后,将所述上引线置入焊接模中,使所述上引线的下端头接触所述最上层焊片;加温至焊接温度,随即冷却固化;

3)、制得。

2.根据权利要求1所述的一种高压硅堆二极管的焊接工艺,其特征在于,所述焊片包括铅、锡和银,铅、锡和银的重量比为Pb:91-93%、Sn:3-6%、Ag:1-3%。

3.根据权利要求1所述的一种高压硅堆二极管的焊接工艺,其特征在于,所述焊接温度为300-375℃,所述保温温度为300-330℃。

4.根据权利要求1、2或3所述的一种高压硅堆二极管的焊接工艺,其特征在于,所述一次焊接和二次焊接在氮气氛保护下进行,所述氮气进入所述焊接模具时的温度为140-160摄氏度。

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