[发明专利]固态图像传感器、其制造方法和成像系统

权利要求书

1.一种固态图像传感器，包括布置于半导体基板上的像素区域和周边电路区域，像素区域包含像素，每个像素包含光电转换元件和向列信号线输出与光电转换元件的电荷对应的信号的放大MOS晶体管，周边电路区域包含驱动像素或处理输出到列信号线的所述信号的电路，

其中，放大MOS晶体管的源极区域的电阻比放大MOS晶体管的漏极区域的电阻低。

2.根据权利要求1的固态图像传感器，

其中，放大MOS晶体管的源极区域的杂质浓度比放大MOS晶体管的漏极区域的杂质浓度高。

3.根据权利要求1的固态图像传感器，

其中，放大MOS晶体管的源极区域和沟道区域之间的界面比放大MOS晶体管的漏极区域和沟道区域之间的界面宽。

4.根据权利要求1的固态图像传感器，

其中，在周边电路区域中布置构成所述电路的一部分的周边MOS晶体管，

其中，周边MOS晶体管的源极区域和漏极区域中的每一个包含与接触插头接触的接触区域、比接触区域更接近沟道的中间区域和比中间区域更接近沟道的区域，

其中，中间区域的杂质浓度高于所述比中间区域更接近沟道的区域的杂质浓度，并且，

其中，放大MOS晶体管的源极区域和漏极区域的杂质浓度比中间区域的杂质浓度低。

5.根据权利要求1的固态图像传感器，还包括：在周边电路区域中布置构成所述电路的一部分的周边MOS晶体管，

其中，周边MOS晶体管的源极区域和漏极区域中的每一个包含与接触插头接触的接触区域、比接触区域更接近沟道的中间区域和比中间区域更接近沟道的区域，

其中，中间区域的杂质浓度高于所述比中间区域更接近沟道的区域的杂质浓度，并且，

其中，放大MOS晶体管的漏极区域的杂质浓度比中间区域的杂质浓度低。

6.一种固态图像传感器，包括布置于半导体基板上的像素区域和周边电路区域，像素区域包含像素，每个像素包含光电转换元件和向列信号线输出与光电转换元件的电荷对应的信号的放大MOS晶体管，周边电路区域包含驱动像素或处理输出到列信号线的所述信号的电路，

其中，放大MOS晶体管的源极区域的杂质浓度比放大MOS晶体管的漏极区域的杂质浓度高。

7.一种固态图像传感器，包括布置于半导体基板上的像素区域和周边电路区域，像素区域包含像素，每个像素包含光电转换元件和向列信号线输出与光电转换元件的电荷对应的信号的放大MOS晶体管，周边电路区域包含驱动像素或处理输出到列信号线的所述信号的电路，

其中，放大MOS晶体管的源极区域和沟道区域之间的界面比放大MOS晶体管的漏极区域和沟道区域之间的界面宽。

8.一种制造固态图像传感器的方法，该固态图像传感器包括布置于半导体基板上的像素区域和周边电路区域，像素区域包含像素，每个像素包含光电转换元件和向列信号线输出与光电转换元件的电荷对应的信号的放大MOS晶体管，周边电路区域包含驱动像素或处理输出到列信号线的所述信号的电路，

所述制造方法包括：

栅极电极形成步骤，形成放大MOS晶体管的栅极电极；

第一注入步骤，通过使用栅极电极作为掩模，向半导体基板的要形成放大MOS晶体管的源极的源极形成区域和半导体基板的要形成放大MOS晶体管的漏极的漏极形成区域注入杂质；和

第二注入步骤，向源极形成区域和漏极形成区域之中的源极形成区域选择性注入杂质。

9.根据权利要求8的方法，

其中，在栅极电极形成步骤中形成包含于周边电路区域中的周边MOS晶体管的栅极电极，

其中，在第一注入步骤中，杂质被注入到半导体基板的要形成周边MOS晶体管的源极的源极形成区域和半导体基板的要形成周边MOS晶体管的漏极的漏极形成区域，周边MOS晶体管的栅极电极被用作掩模，并且，

该方法还包括：

在第二注入步骤之后在像素区域和周边电路区域中形成绝缘膜的步骤；

去除步骤，去除在周边电路区域中形成的绝缘膜中的与周边MOS晶体管的源极和漏极对应的一部分，以在周边MOS晶体管的栅极电极的侧壁上留下绝缘膜的一部分；和

第三注入步骤，去除步骤之后通过使用绝缘膜作为掩模向半导体基板注入杂质。