[发明专利]光学曝光方法及其用于制备硅材料竖直中空结构的方法

权利要求书

1.一种用于形成微纳空穴结构的光学曝光方法，包括以下步骤：

1)选取具有掩膜图形的掩膜板，所述掩膜图形为能通过光照产生泊松亮斑的几何实心图形或其阵列；

2)将掩膜板设置于待曝光的正光刻胶的上方进行曝光，其中图形阴影部分后的泊松亮斑同样曝光；

3)显影，在所述正光刻胶上得到具有与所述泊松亮斑相应的空穴的图形。

2.根据权利要求1所述的光学曝光方法，其特征在于，所述曝光采用硬接触的曝光方式。

3.根据权利要求1或2所述的光学曝光方法，其特征在于，所述显影采用浸没式显影方式。

4.一种制备硅材料竖直中空结构的方法，包括以下步骤：

1)选取衬底：选取硅片作为衬底；

2)涂胶：在硅衬底上涂附一层正光刻胶；

3)前烘：将步骤2)得到的涂有正光刻胶的硅衬底进行加热；

4)曝光：选取具有掩膜图形的掩膜板，所述掩膜图形为能通过光照产生泊松亮斑的几何实心图形；然后，将掩膜板设置于所述正光刻胶的上方进行曝光，其中图形阴影部分后的泊松亮斑同样曝光；

5)显影：在显影液中用浸没式显影方式显影，得到在正光刻胶的与所述泊松亮斑相应的区域形成空穴的图形；

6)图形转移：将步骤5)显影得到的图形刻蚀到硅衬底上得到中空结构。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀采用低温刻蚀工艺。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述显影采用浸没式显影方式。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述浸没式显影方式为保持曝光样品在显影时不要晃动，待显影结束后将其慢慢拉出显影液，从而得到环状图形。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述浸没式显影方式为在显影液中沿某一方向移动曝光样品，从而得到线对形状的图形。

9.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述几何实心图形为实心的椭圆、圆形或多边形。

10.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述曝光在紫外曝光机上进行，曝光剂量为100～500mJ/cm²。