[发明专利]自对准双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种自对准双极晶体管，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，自对准双极晶体管包括：

一集电区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述浅槽场氧底部的深度；

一赝埋层，由形成于所述有源区两侧的浅槽场氧底部的N型离子注入区组成，所述赝埋层还延伸到所述有源区中并和所述集电区的底部相接触，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触，该深孔接触引出集电极；

一P型掺杂的基区，所述基区由形成于所述有源区上方的基区外延层组成，所述基区和所述集电区形成接触，所述基区还延伸到所述有源区外侧的所述浅槽场氧上；

一发射区窗口介质层，所述发射区窗口介质层包括内侧面和外侧面并组成一围绕式结构，所述发射区窗口介质层的内侧面围成的区域为发射区窗口，所述发射区窗口介质层的外侧面以外的区域为外基区自对准注入区；

所述发射区窗口位于所述有源区的正上方、且所述发射区窗口的尺寸小于或等于所述有源区尺寸；在所述发射区窗口的侧壁上形成有氮化膜内侧墙，所述发射区窗口将所述基区露出；

所述发射区窗口介质层的外侧面和所述有源区相交使所述外基区自对准注入区和所述有源区的位置能交叠；

一发射区，由N型多晶硅组成，所述发射区的多晶硅完全填充所述发射区窗口并和所述发射区窗口底部的所述基区接触；在所述发射区上形成有金属接触，该金属接触引出发射极；

根据形成于所述硅衬底上的位置不同所述基区分为本征基区和外基区，位于所述发射区窗口介质层的外侧面以内区域的所述基区为所述本征基区、所述本征基区外部的所述基区为所述外基区；所述外基区的P型掺杂杂质还包括自对准注入杂质，所述自对准注入杂质的自对准的阻挡区域为所述发射区窗口介质层的外侧面以内区域；在所述外基区上形成有金属接触，该金属接触引出基极。

2.如权利要求1所述的自对准双极晶体管，其特征在于：所述基区的基区外延层的成分为Si，SiGe，SiGeC。

3.如权利要求1所述的自对准双极晶体管，其特征在于：所述发射区窗口介质层为氧化膜、或为氧化膜和氮化膜形成的复合膜，所述发射区窗口介质层的厚度为0.1微米～0.3微米。

4.如权利要求1所述的自对准双极晶体管，其特征在于：所述发射区的宽度为0.2微米～0.4微米；所述发射区窗口介质层的内侧面和外侧面之间的宽度为0.1微米～0.2微米。

5.如权利要求1所述的自对准双极晶体管，其特征在于：所述发射区仅由填充于所述发射区窗口中的所述多晶硅组成，在所述发射区窗口外部的所述发射区窗口介质层上没有所述多晶硅。

6.如权利要求1所述的自对准双极晶体管，其特征在于：在所述发射区和所述外基区的表面都覆盖有硅化物。