[发明专利]一种亚微米多层金属电极的制作方法有效
| 申请号： | 201110364080.5 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102522325A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 杨小兵;王传敏;刘军;孙金池;姚全斌 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微米 多层 金属电极 制作方法 | ||
1.一种亚微米多层金属电极的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：
(1)采用蒸发或者溅射工艺形成Ti-W-Ti-Au四层金属电镀子层；
(2)光刻出电极图形，然后电镀Au金属层，电镀完毕后去胶；
(3)采用三步刻蚀Ti-W-Ti-Au四层金属电镀子层，第一步采用以惰性气体为主的离子束工艺将电镀子层最上面的Au层刻蚀掉，第二步以F基气体或者Cl基气体为主的等离子体工艺将Ti-W-Ti层大部分金属层刻蚀掉，第三步以CF4气体为主要刻蚀气体，采用等离子工艺进行过刻蚀，将残留的金属残渣刻蚀干净；
(4)刻蚀后的电极再进行无氧气氛中退火，以修复电极刻蚀损伤。
2.根据权利要求1所述的亚微米多层金属电极的制作方法，其特征在于：所述步骤(1)中W层厚度大于等于
3.根据权利要求1所述的亚微米多层金属电极的制作方法，其特征在于：所述步骤(2)中电镀的Au金属层的厚度为0.5um-2um。
4.根据权利要求1所述的亚微米多层金属电极的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)中第一步中的惰性气体为Ar。
5.根据权利要求1所述的亚微米多层金属电极的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)中，所述F基气体为SF6或CF4，所述Cl基气体为Cl2或BCl3。
6.根据权利要求1所述的亚微米多层金属电极的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)中，第二步用SF6和CF4混合气体进行刻蚀。
7.根据权利要求1所述的亚微米多层金属电极的制作方法，其特征在于：所述步骤(4)中无氧气氛为N2，退火温度为0-500℃，退火时间为0.5-2小时。
8.根据权利要求1所述的亚微米多层金属电极的制作方法，其特征在于：所述多层金属电极是多晶硅发射极的电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所，未经北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110364080.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型铅套铸造装置
- 下一篇：一种动锥体补缩防裂弧形结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
