[发明专利]一种LED发光结构

权利要求书

1.一种LED发光结构，包括：

用于提供空穴的p型掺杂区域；

位于底部、用于提供电子的n型掺杂区域；

位于所述n型掺杂区域和p型掺杂区域之间的发光有源区，其特征在于，所述发光有源区包括：

至少一个第一类量子阱的InGaN阱层和InAlGaN垒层，

至少一个第二类量子阱的InGaN阱层和InAlGaN垒层，和

至少一个第三类量子阱的InGaN阱层和InmGaN垒层，m为0或者1。

2.根据权利要求1所述的发光结构，其中，所述发光有源区包括多个第一类量子阱的InGaN阱层，所述多个第一类量子阱的InGaN阱层彼此通过第一类的InAlGaN垒层分离。

3.根据权利要求1所述的发光结构，其中，所述发光有源区包括多个第二类量子阱的InGaN阱层，所述多个第二类量子阱的InGaN阱层彼此通过第二类的InAlGaN垒层分离；第二类量子阱的InGaN阱层具有比第一类量子阱的InGaN阱层更高的铟含量。

4.根据权利要求1所述的发光结构，其中，所述发光有源区包括多个第三类量子阱的InGaN阱层，所述多个第三类量子阱的InGaN阱层彼此通过第三类的InmGaN垒层分离，m为0或者1；第三类量子阱的InGaN阱层含有比第二类量子阱的InGaN阱层更高的铟含量。

5.根据权利要求1所述的发光结构，其中，第一类量子阱的InGaN阱层的铟的选择为使得第一类量子阱的InGaN阱层发射UV或者紫色光；第二类量子阱的InGaN阱层和InAlGaN垒层设置在第一类量子阱上，第二类量子阱的InGaN阱层的铟的选择为使得在蓝色光谱范围中进行发射；第三类量子阱的InGaN阱层和InmGaN垒层设置在第二类量子阱上，m为0或者1；第三类量子阱的InGaN阱层的铟选择为使得在绿色光谱范围中进行发射。

6.根据权利要求1所述的发光结构，其中，全部第二类量子阱的垒层位于第二类量子阱的阱层的一侧上；全部的第三类量子阱的垒层位于第三类量子阱的阱层的一侧上；第三类量子阱的最后垒层的上侧存在p型掺杂层。

7.根据权利要求5所述的发光结构，其中，第一类量子阱的InGaN阱层的铟的含量调节为使得发射在340nm到410nm之间波长范围中的辐射；第一类量子阱的InGaN阱层中铟含量在0％到10％之间调整。

8.根据权利要求5所述的发光结构，其中，第一类量子阱的InAlGaN垒层包含In_xAl_yGa_1-x-yN，x、y调整到使第一类量子阱的InAlGaN垒层与第一类量子阱的InGaN阱层晶格常数相匹配，其中0≤x＜0.10，0≤y＜0.10。

9.根据权利要求5所述的发光结构，其中，第一类、第二类或者第三类阱层的厚度为2nm到7nm，优选为2nm到4nm。

10.根据权利要求5所述的发光结构，其中，第一类、第二类或者第三类垒层的厚度为3nm到15nm，优选6nm到12nm。

11.根据权利要求5所述的发光结构，其中，第二类量子阱的InGaN阱层的铟含量调整为使得其发射在410nm到490nm之间的波长范围中的辐射；第二类量子阱的InAlGaN阱层的铟含量优选在10％到20％之间。

12.根据权利要求5所述的发光结构，其中，第二类量子阱的InAlGaN垒层包含In_xAl_yGa_1-x-yN，x、y调整到使第二类量子阱的InAlGaN垒层与第二类量子阱的InGaN阱层晶格常数相匹配，其中0.10≤x＜0.20，0.10≤y＜0.20。

13.根据权利要求5所述的发光结构，其中，第三类量子阱的InGaN阱层的铟含量调整为使得其发射在490nm到580nm之间的波长范围中的辐射；第三类量子阱的InGaN阱层的铟含量在20％到30％之间；优选地，第三类量子阱的InGaN阱层包含In_xGa_1-xN，其中0.20≤x＜0.30。