[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110364928.4 申请日: 2011-11-17
公开(公告)号: CN102623360A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 坂本健;鹿野武敏;田中贡;佐佐木太志 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/56;H01L21/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的制造方法,该半导体装置使用具有封装外部区域和封装内部区域并且在侧面的上端设置有毛刺面且在所述侧面的上端附近设置有断裂面的引线框架,该半导体装置的制造方法的特征在于,具有如下工序:

在所述封装外部区域,对所述引线框架的所述侧面的所述上端进行倒角加工;

在所述封装内部区域,将半导体元件搭载在所述引线框架上,用树脂进行密封;

在倒角加工以及树脂密封之后,在所述封装外部区域,将在所述引线框架的所述侧面所设置的树脂飞边除去。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

还具有对所述引线框架的所述侧面的下端进行倒角加工的工序。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在用所述树脂进行密封时,使用模塑模具,

也同时利用所述模塑模具进行所述倒角加工。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在进行所述倒角加工并且用所述树脂进行密封之后,对在所述引线框架的所述侧面设置有所述树脂飞边的部分进行弯曲加工。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110364928.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top