[发明专利]硅基延时可调光延迟线及其制作方法

权利要求书

1.一种硅基延时可调光延迟线，包括：

一输入波导及一直通端，该输入波导及直通端之间通过一第一弯曲波导连接；

一上载端及一下载端，该上载端及下载端之间通过一第二弯曲波导连接；

一光学谐振腔，该光学谐振腔位于输入波导、直通端、上载端和下载端之间，并与输入波导、直通端、上载端和下载端形成耦合；

两调谐电极，该两调谐电极分别位于第一弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧或该两调谐电极分别位于第二弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧。

2.根据权利要求1所述的硅基延时可调光延迟线，其中所述的输入波导是矩形波导、脊型波导或是圆型波导。

3.根据权利要求1所述的硅基延时可调光延迟线，其中所述的光学谐振腔是基于矩形波导、脊型波导或是圆型波导的光学谐振腔。

4.根据权利要求1所述的硅基延时可调光延迟线，其中所述的光学谐振腔是微环谐振腔、微盘谐振腔、多边形谐振腔或光子晶体谐振腔或是以上谐振腔的组合。

5.根据权利要求1所述的硅基热光延时可调光延迟线，其中所述的调谐电极是热调谐电极、电调谐电极或是磁调谐电极。

6.一种如权利要求1所述的硅基延时可调光延迟线的制作方法，包括下列步骤：

步骤1：取一基片，该基片为硅基器件基片；

步骤2：清洗基片，在基片表面涂光刻胶，在光刻胶上光刻出器件图形；

步骤3：对器件图形进行刻蚀，形成器件；

步骤4：在刻蚀后形成器件的表面沉积隔离层；

步骤5：在隔离层的表面制备调谐电极，完成硅基延时可调光延迟线的制作。

7.根据权利要求6所述的硅基延时可调光延迟线的制作方法，其中步骤2中的光刻器件图形是采用电子束光刻、深紫外光刻、X光光刻、纳米压印或聚焦离子束直写的方法，或是以上方法的组合。

8.根据权利要求6所述的硅基延时可调光延迟线的制作方法，其中步骤3中的刻蚀方法是干法刻蚀或湿法刻蚀，或是以上方法的组合。

9.根据权利要求6所述的硅基延时可调光延迟线的制作方法，其中步骤4中沉积隔离层是采用化学汽相淀积淀积、液相外延、磁控溅射或是分子束外延的方法，或是以上方法的组合。

10.根据权利要求9所述的硅基延时可调光延迟线的制作方法，其中步骤4中的隔离层材料是二氧化硅、氮化硅或是光刻胶。