[发明专利]提高浮体效应存储单元写入速度的方法及存储单元

权利要求书

1.一种提高浮体效应存储单元写入速度的制造方法，包括以下步骤：

步骤一：提供底层硅，所述底层硅上形成有埋氧层，所述埋氧层上形成有衬底，所述衬底上依次形成有栅氧化层以及栅极，所述栅极下方的衬底中形成沟道，所述栅极与栅氧化层表面以及衬底表面沉积有侧墙材料；在栅极的靠近源极位置一侧的侧墙材料上形成掩膜层，并且栅极的靠近漏极位置一侧的侧墙材料被暴露；对暴露的侧墙材料进行部分厚度的刻蚀；

步骤二：去除掩膜层，对侧墙材料进行再次刻蚀，在栅极与栅氧化层两侧形成侧墙，且靠近源极位置的侧墙的宽度大于靠近漏极位置的侧墙的宽度；

步骤三：以所述侧墙为掩模，进行重掺杂以及退火工艺，在栅极两侧的衬底中形成源极以及漏极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中，所述衬底中还形成浅沟隔离槽。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中，栅极两侧的衬底中还形成源极轻掺杂区以及漏极轻掺杂区。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中的刻蚀之前，所述侧墙材料对称分布在栅极的两个相对的侧面。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中对暴露的侧墙材料进行部分厚度的刻蚀时，采用高横向刻蚀，低纵向刻蚀的刻蚀条件。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中对侧墙材料进行再次刻蚀时，采用低横向刻蚀，高纵向刻蚀的刻蚀条件。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中对暴露的侧墙材料进行部分厚度的刻蚀时，被去除的部分厚度的侧墙材料约占侧墙材料原本厚度的1/4至3/4。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中，所述靠近源极位置的侧墙的宽度为靠近漏极位置的侧墙的宽度的1.1～3倍。

9.一种浮体效应存储单元，包括底层硅，形成在底层硅上的埋氧层，形成在埋氧层上的衬底，依次形成在衬底上的栅氧化层以及栅极，形成在栅极与栅氧化层两侧的侧墙，形成在栅极两侧的衬底中的源极与漏极，位于栅极下方衬底中的沟道，其特征在于：靠近源极位置的侧墙的宽度大于靠近漏极位置的侧墙的宽度，所述源极与沟道之间的距离大于漏极与沟道之间的距离。

10.一种半导体器件，包括底层硅，形成在底层硅上的埋氧层，形成在埋氧层上的衬底，依次形成在衬底上的栅氧化层以及栅极，沉积在栅极与栅氧化层表面以及衬底表面的侧墙材料，其特征在于：所述栅极的靠近源极位置一侧的侧墙材料上形成有掩膜层，所述栅极的靠近漏极位置一侧的侧墙材料被暴露，且被暴露的侧墙材料的部分厚度被刻蚀去除。