[发明专利]一种自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法无效
| 申请号： | 201110366258.X | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102394219A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对准 硅化物 区域 阻挡 sab 处理 方法 | ||
1.一种自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供包括栅极结构和源漏极结构的半导体基底；
在所述半导体基底上沉积SAB薄膜；
利用紫外光对所述SAB薄膜进行处理；
对所述SAB薄膜进行高温退火处理；
对所述SAB薄膜进行光照显影和湿法蚀刻处理；
在所述半导体基底上形成自对准硅化物层。
2.根据权利要求1所述的自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，其特征在于，所述SAB薄膜的厚度范围为50埃～150埃。
3.根据权利要求1所述的自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，其特征在于，所述自对准硅化物层的厚度范围为300埃～500埃。
4.根据权利要求1所述的自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，其特征在于，所述紫外光照射处理步骤中，处理温度范围为300摄氏度～500摄氏度。
5.根据权利要求1所述的自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，其特征在于，所述紫外光照射处理步骤中，处理压强范围为2torr～8torr。
6.根据权利要求1所述的自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，其特征在于，所述紫外光照射处理步骤中，处理时间为10秒～300秒。
7.根据权利要求1所述的自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，其特征在于，所述紫外光照射处理步骤中，通入反应气体为He或者Ar。
8.根据权利要求7所述的自对准硅化物区域阻挡膜SAB的处理方法，其特征在于，所述紫外光照射处理步骤中，通入He或者Ar反应气体的流量为10000sccm～20000sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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