[发明专利]一种以H3PO4腐蚀衬底制备自剥离GaN单晶的方法

权利要求书

1.一种以H₃PO₄腐蚀衬底制备自剥离GaN单晶的方法，其特征是，包括以下步骤：

(1)利用金属有机化学气相沉积的方法在蓝宝石衬底上外延生长2μm-10μm厚的GaN薄膜，形成GaN外延片；

(2)将GaN外延片浸入温度为220-280℃、浓度为70％-90％的H₃PO₄溶液中腐蚀3分钟-30分钟；

(3)把腐蚀后的GaN外延片从H₃PO₄溶液中迅速取出放入冷水中以停止腐蚀；

(4)将腐蚀后的GaN外延片清洗、吹干后，放入氢化物气相外延生长系统中外延生长GaN单晶；

(5)外延生长GaN单晶结束后经过氢化物气相外延生长系统的降温过程，GaN单晶实现从蓝宝石衬底上自剥离，得到自支撑GaN单晶。