[发明专利]H掺FZO透明导电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110366711.7 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102426876A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍 | 申请（专利权）人： | 安徽康蓝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/40 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 方峥 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | fzo 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.H掺FZO透明导电薄膜，其特征在于：具有一衬底，衬底上具有一层H掺FZO薄膜层。
2.制备权利要求1所述的H掺FZO透明导电薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：
把掺氟氧化锌靶安装到射频靶头上，掺氟氧化锌靶中氟化锌的摩尔百分含量是1%—4%，把经清洗的衬底放到衬底架上，靶材与衬底之间的距离为6~8 cm，生长室真空度抽到1.0×10-3Pa，以氩气为保护气氛，氢气体积分数是0.1—2%，调节生长室压强0.1-2.0Pa，射频溅射掺氟氧化锌靶，在衬底上沉积H掺FZO薄膜层，溅射功率在50—250W，温度为20—450℃。
3.根据权利要求2所述的H掺FZO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底为硅、蓝宝石、玻璃、石英或柔性衬底。
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