[发明专利]一种电流模灵敏放大器

权利要求书

1.一种电流模灵敏放大器，应用于存储器，其特征在于，包括：反馈钳位电路、电流比较放大器，

所述反馈钳位电路的输入端与存储单元相连接，为存储单元提供稳定偏置电压以得到流经该存储单元的稳定的传输电流，并通过输出端将所述传输电流输入所述电流比较放大器的同相输入端；

所述电流比较放大器的反相输入端与参考存储单元相连接，用于比较从所述参考存储单元获得的电流和从所述反馈钳位电路中获得的电流的大小，并通过输出端输出比较结果，所述电流比较放大器的输出端反馈回所述电流比较放大器中，形成正反馈电路，用于增大从所述参考存储单元获得的电流和从所述反馈钳位电路获得的电流之间的电流差。

2.根据权利要求1所述的电流模灵敏放大器，其特征在于，所述电流比较放大器包括：前级放大单元和正反馈加速单元，

所述前级放大单元的第一输入端为所述电流比较放大器的同相输入端，所述前级放大单元的第二输入端为所述电流比较放大器的反相输入端，所述前级放大单元用于比较从所述参考存储单元获得的电流和从所述反馈钳位电路中获得的电流的大小，并通过第一输出端输出第一比较结果；

所述正反馈加速单元，用于获得所述第一输出端输出的比较结果，并对其进行正反馈处理，增大从所述参考存储单元获得的电流和从所述反馈钳位电路中获得的电流之间的电流差。

3.根据权利要求1所述的电流模灵敏放大器，其特征在于，还包括：输出整形电路，用于对所述电流差信号进行整形，所述输出整形电路的输入端与所述电流比较放大器的输出端相连接，所述输出整形电路的输出端反馈回所述电流比较放大器中，形成正反馈电路。

4.根据权利要求1或3所述的电流模灵敏放大器，其特征在于，所述反馈钳位电路包括：第一反相器、第四NMOS管和第六NMOS管，

所述第一反相器的输入端与所述第四NMOS管的源极相连接，输出端与所述第四NMOS管的栅极相连接；所述第四NMOS管的漏极为所述反馈钳位电路的输出端，源极为所述反馈钳位电路的输入端且与所述存储单元中浮栅管的漏极相连接；所述第六NMOS管的漏极与供能电源相连接，栅极输入一预充电信号，以控制所述存储单元中浮栅管的漏极快速充电到钳位电位，源极与所述第四NMOS管的源极相连接。

5.根据权利要求2所述的电流模灵敏放大器，其特征在于，所述前级放大单元包括：

第二PMOS管、第一PMOS管、第八NMOS管、第一电容和第五NMOS管，

所述第二PMOS管的漏极为所述电流比较放大器的同相输入端，源极与供电电源相连接，栅极与自身漏极相连接；

所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接在一起，源极与供电电源相连接，漏极与第五NMOS管的漏极相连接；所述第二PMOS管和所述第一PMOS管构成电流镜像电路，将所述第二PMOS管漏极获取的电流信号镜像到所述第一PMOS管的漏极；

所述第八NMOS管的漏极为所述电流比较放大器的反相输入端，与参考存储单元相连接，获取参考存储单元中流出的电流，所述第八NMOS管的源极接地，栅极与自身的漏极相连接；

所述第五NMOS管的栅极与所述第八NMOS管的栅极相连接，构成电流镜像电路，用于将所述第八NMOS管漏极获得的电流镜像到所述第五NMOS管的漏极，所述第五NMOS管的源极接地，漏极与所述第一PMOS管的漏极相连接，连接点为公共点A，用于在公共点A处比较所述第一PMOS管的漏极电流和所述第五NMOS管的漏极电流，并通过公共点A输出比较结果，其中A点即为所述前级放大单元的第一输出端。