[发明专利]一种二硼化镁超导材料的制备方法

权利要求书

1.一种二硼化镁超导材料的制备方法，其特征在于所述的制备方法包括下述步骤：

(1)按照摩尔比Mg∶B＝1∶2称量Mg粉和B粉，所述的B粉纯度范围为90～99.99wt％，将上述Mg粉和B粉放入球磨罐中并密封，磨球直径为3～10mm，球料比为1∶1～100∶1，以上操作在通有氩气的手套箱中完成；然后在100～1000r/min的转速下球磨1～150h，得到MgB₂的先驱粉；

(2)将步骤(1)制得的粉末压片，得到块材；或将步骤(1)制得的粉末装入金属管中，密封后经旋锻、拉拔或轧制加工成线材或带材；

(3)将步骤(2)得到块材、线材或带材在氩气气氛中烧结，烧结温度为600～1000℃，保温0.5-5h，便得到具有高临界电流密度的二硼化镁超导材料。

2.按照权利要求1所述的二硼化镁超导材料的制备方法，其特征在于：在通有氩气的手套箱中将所述的B粉放入球磨罐中并密封进行预球磨，磨球直径为3～10mm，球料比为1∶1～100∶1，在100～1000r/min的转速下进行预球磨1～150h；然后按照摩尔比Mg∶B＝1∶2称量Mg粉和经过预球磨的B粉，将上述Mg粉和经过预球磨的B粉放入球磨罐中并密封，球磨处理1～150h后得到MgB₂的先驱粉。

3.按照权利要求1所述的二硼化镁超导材料的制备方法，其特征在于：在所述的Mg粉和B粉中添加掺杂物，掺杂物的质量是所述的Mg粉和B粉总质量的0.02～10％。

4.按照权利要求3所述的二硼化镁超导材料的制备方法，其特征在于：所述的掺杂物为纳米C或纳米SiC或碳氢化合物或碳水化合物。

5.按照权利要求1所述的二硼化镁超导材料的制备方法，其特征在于：所述的球磨罐和磨球均为碳化钨硬质合金或不锈钢或氧化锆制作。

6.按照权利要求1或2所述的二硼化镁超导材料的制备方法，其特征在于：所述的球磨在氩气气氛下进行。