[发明专利]Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件

权利要求书

1.一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源电极、漏电极以及异质结构，所述源电极与漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，所述异质结构包括第一半导体和第二半导体，所述第一半导体设置于源电极和漏电极之间，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，其特征在于，所述HEMT器件还包括主栅、绝缘介质层和副栅，其中：

所述主栅设置于第二半导体表面靠近源电极一侧，并与第二半导体形成肖基特接触，且位于主栅下方的第二半导体局部区域内部还形成有等离子体处理区；

所述介质层形成于第二半导体和主栅表面，并设置在所述源电极和漏电极之间；

所述副栅形成于介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。

2.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述源电极和漏电极分别与电源的低电位和高电位连接。

3.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述等离子体处理区是第二半导体内的局部区域经氟等离子体处理后所形成的带负电的固定电荷区。

4.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述第一半导体和第二半导体均采用Ⅲ族氮化物半导体。

5.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述副栅的两侧边缘分别向源电极和漏电极方向延伸。

6.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述副栅仅有一侧边缘向相应的源电极或漏电极方向延伸。

7.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，在所述HEMT器件工作时，所述主栅和副栅分别由一控制信号控制，且在所述HEMT器件处于导通状态时，所述副栅控制信号的电位高于主栅控制信号的电位。