[发明专利]一种基于MOS管的高重频、低功耗双开关栅控行波管调制器的实现方法有效
| 申请号： | 201110367107.6 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102568983A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 崔海安;杨钰辉 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七二四研究所 |
| 主分类号： | H01J23/00 | 分类号： | H01J23/00;H01J25/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mos 高重频 功耗 双开 关栅控 行波 调制器 实现 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于MOS管的高重频、低功耗双开关栅控行波管调制器的实现方法，其特征在于：采用高反压MOS管作为开关器件，提高开关速度，简化电路；通过改进“起始”、“截尾”管的连接形式，使调制器不存直通损耗。
2.实现权利要求1所述的相关电路设计方法，其特征在于：
①V2、V5采用高反压MOS管，单管就能满足1100V栅调脉冲的耐压要求，简化了电路，同时提高了开关速度；
②V5导通的同时迅速关断V2，降低了直通损耗，提高了调制器工作重频；
③设置了简单有效的管击穿保护电路。
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