[发明专利]第二代高温超导带材用的简化CeO2/LaZrO3复合隔离层及其制备方法

权利要求书

1.一种简化的CeO₂/LaZrO₃复合隔离层，其特征在于，该复合隔离层采用双层结构，上层为LaZrO₃层，下层为CeO₂种子层。

2.如权利要求1所述的简化的CeO₂/LaZrO₃复合隔离层，其特征在于，所述LaZrO₃层的厚度为100-200nm，所述CeO₂种子层的厚度为50-100nm。

3.一种制备简化CeO₂/LaZrO₃复合隔离层的多通道激光镀膜方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

步骤1、将双轴织构镍-钨金属基带缠绕设置在多通道激光镀膜系统内；

步骤2、对双轴织构镍-钨金属基带进行退火；

步骤3、退火工艺结束后，保持氩气和氢气流量及比例不变，通过控制分子泵闸板阀门将氩-氢混合气体的总气压降低到CeO₂种子层镀膜工艺所需的值；

步骤4、将加热器温度调节到CeO₂种子层镀膜工艺所需的值；

步骤5、将CeO₂靶调入镀膜靶材，并启动CeO₂靶旋转与扫描系统；

步骤6、启动准分子激光器，并将激光能量和频率升到CeO₂种子层镀膜工艺所需的值；

步骤7、等气压、温度、激光能量、激光频率稳定后，打开激光光路开关，开始激光靶表面预蒸发过程；

步骤8、等激光蒸发形成的椭球状等离子体稳定后，启动多通道传动装置的步进电机控制开关，并将双轴织构镍-钨基带的行走速度调到所需的值，进行镀膜；

步骤9、完成CeO₂种子层镀膜后，关闭激光光路窗口挡板，关闭氩-氢混合气体质量流量计阀门，逐步降低激光器频率并关闭准分子激光器；

步骤10、完成步骤9后，在不打开镀膜系统真空腔门的情况下，通过原位换靶，直接开始下一道镀膜工艺；将LaZrO₃靶调入镀膜靶材，通过带材传输控制系统更改带材运动方向，比如CeO₂镀膜方向设定为前进的话，则将LaZrO₃镀膜方向设定为后退；

步骤11、开启氧气质量流量计，通过控制分子泵闸板阀门将氧气的总气压调到LaZrO₃层镀膜工艺所需的值；

步骤12、调整加热器温度设定值，将加热器温度调节到LaZrO₃层镀膜工艺所需的值；

步骤13、启动LaZrO₃靶旋转与扫描系统；

步骤14、启动准分子激光器，并将激光能量和频率升到LaZrO₃层镀膜工艺所需的值；

步骤15、等气压、温度、激光能量、激光频率稳定后，打开激光光路开关，开始LaZrO₃靶表面预蒸发过程；

步骤16、等激光蒸发形成的椭球状等离子体稳定后，启动多通道传动装置的步进电机控制开关，并将双轴织构镍-钨基带的行走速度调到所需的值，开始LaZrO₃层镀膜过程；

步骤17、完成LaZrO₃层镀膜后，关闭激光光路窗口挡板，关闭氧气气体质量流量计阀门，逐步降低激光器频率至零，并关闭准分子激光器。

4.如权利要求3所述的制备简化CeO₂/LaZrO₃复合隔离层的多通道激光镀膜方法，其特征在于，所述的步骤1包含以下步骤：

步骤1.1、将双轴织构镍-钨金属基带的一端缠绕在卷盘I上；

步骤1.2、牵引双轴织构镍-钨金属基带多次缠绕通过多通道传动装置带辊II；

步骤1.3、将双轴织构镍-钨金属基带的另一端固定在卷盘II上。