[发明专利]一种铝互连线及其制备方法无效
申请号: | 201110367827.2 | 申请日: | 2011-11-18 |
公开(公告)号: | CN103123909A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 卜维亮;赵强;李晓丽 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霁晨;高为 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 互连 及其 制备 方法 | ||
1. 一种用于制备铝互连线的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
以第一薄膜沉积工艺在衬底上沉积钛层;
以第二薄膜沉积工艺在所述钛层上沉积氮化钛层;
在所述氮化钛层上形成含铝的金属层;以及
在所述金属层上形成钛/氮化钛层;
其中所述第一薄膜沉积工艺与所述第二薄膜沉积工艺在两个不同的腔室中进行。
2. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述第一薄膜沉积工艺为离子化金属电浆(IMP)工艺。
3. 如权利要求2所述的方法,其特征在于,其中所述离子化金属电浆(IMP)工艺在中浓度电浆环境中进行。
4. 如权利要求3所述的方法,其特征在于,其中所述中浓度电浆环境为电浆浓度在3%~5%的范围内。
5. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述第一薄膜沉积工艺为自电离电浆(SIP)工艺。
6. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述第二薄膜沉积工艺为自电离电浆(SIP)工艺。
7. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述第二薄膜沉积工艺为物理气相沉积(PVD)工艺。
8. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述钛层的厚度为150~250 ?。
9. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述氮化钛层的厚度为200~300 ?。
10. 一种用权利要求1-9中任意一项所述的方法制备的铝互连线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造