[发明专利]一种适宜高寒山区种植作物的W型覆膜栽培结构无效

专利信息
申请号: 201110368495.X 申请日: 2011-11-20
公开(公告)号: CN103120106A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 孙秀芝;吕风林 申请(专利权)人: 孙秀芝
主分类号: A01G13/02 分类号: A01G13/02;A01G1/00
代理公司: 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 代理人: 郑晋周
地址: 035700 山西省晋中*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 适宜 高寒 山区 种植 作物 型覆膜 栽培 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及农作物栽培技术领域,具体涉及在高寒山区种植玉米、马铃薯和谷子等作物的地膜覆盖栽培结构。

背景技术

地膜覆盖栽培是通过在种植作物的土地上覆盖塑料薄膜,提高土壤温度、保持土壤水分和养分,创造适合作物生长的土壤生态环境达到增加作物产量的目的,它是二十世纪农作物高产栽培的关键技术之一,在我国广大地区的农业生产上得到了广泛的应用。在我国北纬370以上、海拔1000米以上的高寒山区,由于地膜覆盖栽培技术的推广,使原来不能成熟的高产性状好的玉米品种在当地安家落户了,使马铃薯、谷子等作物的产量同比提高了20%以上。但是,多年来,地膜覆盖栽培的现有技术都是先播种,然后地膜覆盖,最后再拔苗定植,其增产幅度稳定在一定水平。如果在现有地膜覆盖技术进行技术改进,通过进一步提高土壤增温、保墒的功能,在此基础上再增加蓄水的作用,将能进一步显著的提高高寒山区种植作物的产量。

发明内容

为克服现有技术的不足,本发明提供一种适宜高寒山区种植作物的W型覆膜栽培结构,该项技术的增产增收效果十分显著。

本发明的一种适宜高寒山区种植作物的W型覆膜栽培结构,包括透明膜覆盖的地垄,其特征在于所述地垄的横截面是由垄沟与垄背相间构成的W型结构,所述垄沟深度为5-10cm,两垄沟中心间距为35-40cm。

所述的一种适宜高寒山区种植作物的W型覆膜栽培结构,其特征在于置于垄沟上部的透明膜上等距离设置有种植孔,种植孔上压有覆盖土。

 

本发明以W形地膜覆盖栽培技术,与现有地膜覆盖播种程序的播种、铺膜、放苗不同,突出的特点是先起垄,后覆膜,然后打孔播种,覆膜较播种提前了8—12天,起到了增温、保墒的作用,经多年的试验表明,提前8—12天的覆膜,到播种时的膜下5cm的温度较先播种后覆膜现有技术平均提高了1.7-2.0℃,膜下0-10cm的含水量提高了6.1-8.8个百分点。为种子的萌动打好了良好的基础,出苗比对照可提早了5-8天,出苗率提高了4%-5%,保证了苗全苗旺,为增产增收打下好的基础。

本发明在垄沟打孔播种,打孔播种器提起带起的土壤将地膜孔埋住,因此地膜在播种穴处因土壤重压呈凹陷状,正是在地膜平面上出现的播种穴,起到了积流增墒的作用,覆膜后,只要有降雨,每个播种穴可积流1-2平方尺的降水,使无效降雨变成有效降水,将有限的春雨有效的积流到苗的根部,其增产增收效果十分显著。经多年的试验表明,本发明较现有覆膜技术增产幅度在11.3%-21.4%。

附图说明

图1是打孔种植时W型覆膜结构示意图。

图2是图1的俯视图。

图3是种植并在种植孔上覆土示意图。

图中,1-透明膜,2-种植孔,3-垄背,4-垄沟,5-覆盖土。

具体实施方式

图1所示,本发明的W型覆膜种植结构由两个中间隔有垄背3与垄沟4构成,在它们上部覆有透明膜1。种植时,用打孔播种器在垄沟上部的透明膜1上等距离打上种植孔2并种上种子,如图2所示,然后在种植孔2上盖上覆盖土5即可,如图3所示。

实施例1

本发明在高寒山区种植玉米的应用,包括以下步骤:

(1)轮作与整地:选择两年内没有种过玉米、土层深厚、肥力中上等的壤土或沙壤土的地块,冬季深耕、春天细犁、细耙,达到土碎无坷垃,干净无杂物;

(2)合理沟施肥料:测试土壤肥力,根据预期产量进行配方施肥,确定所需要的基肥、长效肥和速效肥的数量,一次性结合地膜覆盖时施入播种沟内;

(3)W形地膜覆盖:采用地膜覆盖设备,在4月5-10日开沟、覆盖地膜,肥料在开沟的同时施入沟内,开沟完成后土壤截面成为“W”形,垄沟深8-10cm,两垄沟中心间距为35-40cm,覆膜后在两边垄侧将地膜边用土压紧压实,覆盖结束后地膜呈平面状;

(4)选用良种与种子处理:选择适宜当地种植的3138品种,在播种前3-5天用杀虫和杀菌剂进行处理;

(5)适期播种与播种方式:在4月15-20日播种,播种时专用打孔工具,穿透地膜播种到垄沟中,播深3-5cm,每亩播种密度3400-3500穴,当打孔播种器提起时,带起的土壤将地膜孔埋住;

(6)做好田间管理:适时定苗,每穴留苗一株,定苗的进行地膜间的中耕锄草,及时进行病虫害防治。

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