[发明专利]薄膜晶体管元件及显示面板的像素结构与驱动电路有效

专利信息
申请号: 201110368902.7 申请日: 2011-11-14
公开(公告)号: CN102394247A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 张哲嘉;刘圣超;蔡五柳;魏全生;林志宏 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368;G09G3/36
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;王颖
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 元件 显示 面板 像素 结构 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管元件,其特征在于,设置于一基板上,该薄膜晶体管元件包括:

一栅极;

一半导体通道层;

一栅极绝缘层,位于该栅极与该半导体通道层之间;

一源极与一漏极,分别位于该半导体通道层的两相对侧并分别与该半导体通道层部分重叠;

一电容电极,至少与该栅极部分重叠;以及

一电容介电层,位于该电容电极与该栅极之间,其中该电容电极、该栅极与该电容介电层形成一电容元件。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件,其特征在于,其中该电容介电层位于该电容电极之上,该栅极位于该电容介电层之上,该栅极绝缘层位于该栅极之上,该半导体通道层位于该栅极绝缘层上,且该源极与该漏极至少位于该半导体通道层之上。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件,其特征在于,其中该半导体通道层位于该基板、该源极与该漏极之上,该栅极绝缘层位于该半导体通道层之上,该栅极位于该栅极绝缘层之上,该电容介电层位于该栅极之上,且该电容电极位于该电容介电层之上。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件,其特征在于,其中该源极与该漏极位于该半导体通道层之上,该栅极绝缘层位于该半导体通道层、该源极与该漏极之上,该栅极位于该栅极绝缘层之上,该电容介电层位于该栅极之上,且该电容电极位于该电容介电层之上。

5.根据权利要求1所述的半导体元件结构,其特征在于,其中该电容电极大体上对应于该栅极。

6.一种显示面板的像素结构,其特征在于,设置于一基板上,该显示面板的该像素结构包括:一薄膜晶体管元件以及一像素电极;

该薄膜晶体管元件,包括:

一栅极;

一半导体通道层;

一栅极绝缘层,位于该栅极与该半导体通道层之间;

一源极与一漏极,分别位于该半导体通道层的两相对侧并分别与该半导体通道层部分重叠;

一电容电极,至少与该栅极部分重叠;以及

一电容介电层,位于该电容电极与该栅极之间;以及

该像素电极,分别与该漏极与该电容电极电性连接;

其中该电容电极、该栅极与该电容介电层形成一储存电容元件。

7.根据权利要求6所述的显示面板的像素结构,其特征在于,其中该电容介电层位于该电容电极之上,该栅极位于该电容介电层之上,该栅极绝缘层位于该栅极之上,该半导体通道层位于该栅极绝缘层上,且该源极与该漏极至少位于该半导体通道层之上。

8.根据权利要求6所述的显示面板的像素结构,其特征在于,其中该半导体通道层位于该基板、该源极与该漏极之上,该栅极绝缘层位于该半导体通道层之上,该栅极位于该栅极绝缘层之上,该电容介电层位于该栅极之上,且该电容电极位于该电容介电层之上。

9.根据权利要求6所述的显示面板的像素结构,其特征在于,其中该源极与该漏极位于该半导体通道层之上,该栅极绝缘层位于该半导体通道层、该源极与该漏极之上,该栅极位于该栅极绝缘层之上,该电容介电层位于该栅极之上,且该电容电极位于该电容介电层之上。

10.根据权利要求6所述的显示面板的像素结构,其特征在于,其中该电容电极大体上对应于该栅极。

11.一种显示面板的驱动电路,其特征在于,包括:

多个驱动单元,各该驱动单元包括:一薄膜晶体管元件以及一电容元件;

该薄膜晶体管元件,包括:

一栅极;

一半导体通道层;

一栅极绝缘层,位于该栅极与该半导体通道层之间;以及

一源极与一漏极,分别位于该半导体通道层的两相对侧并分别与该半导体通道层部分重叠;以及

该电容元件,包括:

一电容电极,至少与该薄膜晶体管元件的该栅极部分重叠;

一电容介电层,位于该电容电极与该栅极之间;以及

该薄膜晶体管元件的该栅极。

12.根据权利要求11所述的显示面板的驱动电路,其特征在于,其中该显示面板的该驱动电路包括一栅极驱动电路,各该驱动单元包括一移位寄存电路单元,且各该驱动单元分别与一对应的栅极线电性连接。

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