[发明专利]执行同时读取与写入存储器操作的方法及设备有效
申请号: | 201110370020.4 | 申请日: | 2011-11-15 |
公开(公告)号: | CN102567242A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 格拉齐亚诺·米里希尼 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F11/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 执行 同时 读取 写入 存储器 操作 方法 设备 | ||
技术领域
本文中所揭示的标的物涉及存储器装置的读取及写入过程。
背景技术
存储器装置用于许多类型的电子装置中,例如计算机、蜂窝电话、PDA、数据记录器及导航装备,此处仅列举几个实例。在此些电子装置当中,可采用各种类型的非易失性存储器装置,例如NAND或NOR快闪存储器及相变存储器(PCM),此处仅列举几个实例。一般来说,可使用写入或编程过程将信息存储于此些存储器装置中,而可使用读取过程来检索所存储的信息。
一些类型的存储器装置包含分割成例如页、块、分区等存储器单元群组的存储器单元阵列。在此些情况下,此种群组内的存储器单元可共享共用电子电路,包括例如读出放大器及行/列解码器。因此,从此种存储器单元群组的读取及向此种存储器单元群组的写入两者均可涉及某一共用电子电路。在此情况下,在此种存储器单元群组的一个部分中发生的未决写入操作可防止读取操作在同一存储器单元群组的另一部分中发生。此限制条件可导致较慢的读取操作及存储器装置的降低的总体性能。
发明内容
附图说明
将参考以下各图描述非限制性及非穷尽性实施例,其中除非另外说明,否则所有各图中相似参考编号指代相似部件。
图1到图4是根据一实施例的存储器的一部分的示意图。
图5是根据一实施例的用以从存储器的分区读取的过程的流程图。
图6是根据一实施例的用以更新存储器的错误校正码(ECC)分区的过程的流程图。
图7是图解说明计算系统的示范性实施例的示意图。
具体实施方式
此说明书通篇所提及的“一个实施例”或“一实施例”意指结合所述实施例描述的特定特征、结构或特性包括在所请求标的物的至少一个实施例中。因此,在此说明书通篇中的各个地方出现的短语“在一个实施例中”或“一实施例”未必全部指代相同实施例。此外,可将所述特定特征、结构或特性组合在一个或一个以上实施例中。
在一实施例中,例如NAND、NOR或PCM快闪等存储器装置可包含分割成称为分区的存储器单元群组的存储器阵列。此些分区内的存储器单元可共享共用电子电路,包括例如读出放大器及行/列解码器。在一实施方案中,除包括将用户数据存储于其中的多个分区外,存储器阵列还可包括用以存储ECC的错误校正码(ECC)分区。如果数据的一个或一个以上位变为遭破坏,那么可使用此ECC用包括待重构的数据的充足额外信息的奇偶位来补充所述数据。举例来说,可在读取所存储数据的过程及/或写入数据后检验的过程期间应用此ECC。ECC可包含用奇偶位补充的数据串。用以建构ECC的过程可至少部分地基于正使用的特定应用程序。在一特定实施方案中,ECC可至少部分地基于并行编码与解码技术。此些技术可涉及1位错误校正二进制汉明码、1位以上错误校正二进制博斯-乔赫里-霍克昆亨(BCH)码、非二进制里德-所罗门码或卷积码,此处仅列举几个实例。
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