[发明专利]用于多晶硅锭制备的组合坩埚

权利要求书

1.一种用于多晶硅锭制备的组合坩埚，其特征在于，包括：石英坩埚和设置在石英坩埚外侧的石墨坩埚，所述石英坩埚包括石英坩埚基体、中间过渡层、第二中间层和内表面涂层，所述石英坩埚基体内壁设置有中间过渡层，所述中间过渡层上设有第二中间层，所述第二中间层上设有内表面涂层，所述石墨坩埚包括底板和设置在底板四周的侧板，所述底板具有网状结构。

2.根据权利要求1所述的用于多晶硅锭制备的组合坩埚，其特征在于，所述中间过渡层的材料是硅，厚度为300～600μm之间。

3.根据权利要求1所述的用于多晶硅锭制备的组合坩埚，其特征在于，所述第二中间层的材料是二氧化硅和氮化硅，厚度为50～100μm之间。

4.根据权利要求1所述的用于多晶硅锭制备的组合坩埚，其特征在于，所述内表面涂层的材料是氮化硅、二氧化硅和硅，厚度为300～600μm之间。

5.根据权利要求1所述的用于多晶硅锭制备的组合坩埚，其特征在于，所述网状结构至少为两层。

6.根据权利要求1所述的用于多晶硅锭制备的组合坩埚，其特征在于，所述网状结构的构造是蜂窝形。