[发明专利]半导体装置的制法、基材穿孔制程及其结构

权利要求书

1.一种基材穿孔结构，包括：

一半导体基材，其具有一背面以及贯穿该半导体基材背面的通孔；

金属层，配置于该半导体基材上，且显露于该通孔；

一第一绝缘层，其形成于该半导体基材的背面，该第一绝缘层具有与该通孔相连通的开口；以及

一第二绝缘层，其形成于该第一绝缘层上，且部分该第二绝缘层延伸至该开口的壁面上以及该通孔的壁面上，以形成一沟槽绝缘层，该沟槽绝缘层经回蚀而于该通孔与该金属层所形成的转角处形成底脚，且该底脚的高度小于该第一绝缘层以及该第二绝缘层的高度和。

2.根据权利要求1所述的基材穿孔结构，其特征在于，该结构更包括一导电层，其形成于该第二绝缘层上，且该导电层延伸至该开口以及该通孔中，并与该金属层电性连接。

3.根据权利要求1所述的基材穿孔结构，其特征在于，该第一绝缘层的厚度小于该第二绝缘层的厚度。

4.根据权利要求1所述的基材穿孔结构，其特征在于，该第一绝缘层的厚度大于该第二绝缘层的厚度。

5.根据权利要求1所述的基材穿孔结构，其特征在于更包括一屏蔽层，形成于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间。

6.一种基材穿孔制程，包括：

于一半导体基材的背面上形成一金属层；

形成一第一绝缘层于该半导体基材的背面，并图案化该第一绝缘层，以形成开口，该开口显露出该半导体基材的背面；

经由该开口，非等向蚀刻显露于该开口的半导体基材，以形成贯穿该半导体基材的通孔，以令该金属层显露于该通孔；

形成一第二绝缘层于该第一绝缘层上，且部分该第二绝缘层延伸至该开口的壁面以及该通孔的壁面上，以形成一覆盖该金属层的沟槽绝缘层；以及

回蚀该通孔中的沟槽绝缘层，以显露出部分该金属层。

7.根据权利要求6所述的基材穿孔制程，其特征在于，该沟槽绝缘层的底部经回蚀而于该通孔与该金属层所形成的转角处形成底脚，并令该底脚的高度小于该第一绝缘层以及该第二绝缘层的高度和。

8.根据权利要求6所述的基材穿孔制程，其特征在于，该制程更包括形成一导电层于该第二绝缘层上，且该导电层延伸至该开口以及该通孔中，以与该金属层电性连接。

9.根据权利要求6所述的基材穿孔制程，其特征在于，该非等向蚀刻为电浆蚀孔。

10.根据权利要求6所述的基材穿孔制程，其特征在于，于图案化该第一绝缘层之前，更包括形成一屏蔽层于该第一绝缘层上，以使该屏蔽层与该第一绝缘层并同图案化，以在该第二绝缘层形成后，令该屏蔽层夹置于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间。

11.一种半导体装置的制法，包括：

于一半导体基材的背面上设置至少一主动组件及形成一金属层，并电性连接该主动组件及该金属层；

将一盖板接合至该半导体基材，以令该主动组件及金属层为该盖板所覆盖；

形成一第一绝缘层于该半导体基材的背面，并图案化该第一绝缘层，以形成显露出该半导体基材的开口；

经由该开口，非等向蚀刻显露于该开口中的半导体基材，以形成贯穿该半导体基材并显露出该金属层的通孔；

形成一第二绝缘层于该第一绝缘层上，且部分该第二绝缘层延伸至该开口的壁面以及该通孔的壁面上，以形成一覆盖该金属层的沟槽绝缘层；以及

回蚀该通孔中的沟槽绝缘层，以显露出部分该金属层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制法，其特征在于，该沟槽绝缘层经回蚀而于该通孔与该金属层所形成的转角处形成底脚，并令该底脚的高度小于该第一绝缘层以及该第二绝缘层的高度和。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制法，其特征在于，该制法更包括形成一导电层于该第二绝缘层上，且该导电层延伸至该开口以及该通孔中，以与该金属层电性连接。

14.根据权利要求11所述的半导体装置的制法，其特征在于，于图案化该第一绝缘层之前，更包括形成一图案化光阻层于第一绝缘层上。

15.根据权利要求11所述的半导体装置的制法，其特征在于，该非等向蚀刻为电浆蚀孔。