[发明专利]基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列以及其操作方法

权利要求书

1.一种基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列，包括：晶体管，包括源极、漏极和控制栅极；存储节点，即所述晶体管控制栅极的栅介质，位于晶体管控制栅极和硅衬底之间，存储电阻变化；字线，连接到所述晶体管的控制栅极；位线，连接到所述晶体管的漏极；源线，连接到所述晶体管的源极；其特征在于，所述的存储单元中，包括读管(201)，起到选通、限流的作用，编程部件(202)，位线(203)，(204)代表(201)的字线，即读字线，(205)代表编程字线，栅极(206)使用具有阻变特性材料，如HfOx。

2.按权利要求1所述的基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列，其特征在于，所述栅极(206)使用阻变特性材料HfOx。

3.按权利要求1所述的基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列，其特征在于，所述栅极(206)有高、低阻不同状态，其中高阻、低阻之间转变可逆。

4.按权利要求1所述的基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列，其特征在于，在字线(205)和位线(203)之间施加一定电压，留过的电流大小不同。

5.按权利要求4所述的基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列，其特征在于，读取时在字线、源线、位线之间施加一定电压，可根据不同大小的电流判断“0”和“1”。

6.按权利要求5所述的基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列，其特征在于，在1和0两状态的读取电流相差20～500倍。

7.按权利要求5所述的基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列，其特征在于，对data retention的要求大于64ms。

8.按权利要求1所述的基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列，其特征在于，在所述编程部件的HfOx厚度上增设掩膜板(406)。