[发明专利]具有由划片槽限定的薄片的半导体结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术，特别涉及半导体制造技术。

背景技术

相关申请的交叉引用

本申请是2008年9月11日提交的、顺序号为12/208,897的申请的部分继续申请。该在先申请的内容被结合在此以作参考。

微电子学领域中的许多应用不仅需要与环境进行电交互，而且需要与环境进行某一种类的机械的、热力学的、流体动力学的、化学的、辐射的或其他的交互。这些应用的例子可以在传感器装置的领域、在微机电系统(MEMS)的领域等等中找到。机械力、压力、温度、化学物质、物理量等等与半导体结构的专用部分进行交互以产生期望的效果，例如特定的电压或电容，其是所施加的物理量的函数。

压力传感器的例子将以代表性的方式说明针对需要与环境进行类似交互的应用的类型的技术环境。压力传感器通常被用来测量液体或气体(例如空气)的压力。压力传感器通常提供基于由压力传感器感测到的压力而变化的输出信号。一种类型的压力传感器包括耦合或结合至传感器表面的独立压力传感器，例如专用集成电路(ASIC)。另一种类型的压力传感器是在生产线后段(BEOL)工艺期间与诸如ASIC之类的传感器电路集成的压力膜盒(capsule)(例如多晶硅板)。压力通常与在平行于半导体结构的衬底的主表面的方向上延伸的半导体结构的薄片(lamella)进行交互。薄片通常位于衬底的主表面之一的附近。因此，包括薄片的主表面需要被定位，使得该主表面面向其压力将被测量的容积。

在可替换的设计中，薄片已被移动至衬底的内部。压力通常通过压力通道(channel)被传导至薄片，该压力通道可具有或多或少复杂的形状，这取决于压力通道的入口相对于薄片被定位的位置。

发明内容

本发明的一个实施例提出一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括：在衬底中蚀刻第一开口；在衬底中蚀刻芯片划片槽(singulation trench)以限定第一开口和芯片划片槽之间的薄片；制造用于感测薄片的偏转的感测元件；以及在芯片划片槽处对半导体结构进行划片。

附图说明

附图被包括以提供对实施例的进一步理解，以及附图被结合在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图示出实施例，并且与描述一起用来解释实施例的原理。其他实施例以及实施例的许多预期优点将容易被认识到，因为通过参考以下详细描述，它们变得更好理解。附图的元素相对于彼此不一定按比例。相似的附图标记表示对应的类似部分。

图1示出根据在此公开的教导的半导体结构的示意性垂直横截面。

图2示出根据在此公开的教导的半导体结构的示意性水平横截面。

图3示出半导体结构的示意性横截面的局部视图。

图4A和图4B示出腔以及具有该腔的内部结构的两个变型的水平横截面。

图5示出内部结构的变型的透视图。

图6A至6D示出沉积工艺的各阶段以及随后对半导体衬底的蚀刻。

图7A至7F示出用于对压力敏感结构进行电绝缘的工艺序列。

图8示出使用半导体结构实施的传感器结构。

图9示出具有锥形横截面腔的衬底的横截面。

图10示出具有腔以及腔之间的锥形薄片的半导体结构的横截面。

图11A至11D示出半导体结构的制造工艺的一个实施例的各阶段。

图12A至12D示出半导体结构的制造工艺的另一实施例的各阶段。

图13A示出在图11A-11D或图12A-12D的制造工艺的中间步骤处得到的半导体结构的剖面的第一扫描电子显微镜图像。

图13B示出在图11A-11D或图12A-12D的制造方法的中间步骤处得到的半导体结构的剖面的第二扫描电子显微镜图像。

图14示出其中实施一些所公开特征的另一组合的半导体衬底的横截面。

图15示出在用于得到单个半导体结构的划片工艺之前的包括几个半导体结构的半导体晶片的一部分。

具体实施方式