[发明专利]半导体组件堆栈结构测试方法

权利要求书

1.一种半导体组件堆栈结构测试方法，包含下列步骤：

(a)提供一测试底板与一探针卡，所述测试底板包含多个测试接点，所述探针卡包含多个探针，所述测试底板与所述探针卡分别连接至一测试装置，以供发送及接收测试讯号；

(b)提供一基板，所述基板设置于所述测试底板上，且所述基板包含有多个第一接触点及第二接触点，所述多个第一接触点与所述多个第二接触点相应电性导通，所述多个第一接触点与所述测试底板的所述多个测试接点电性连接；

(c)提供多个半导体组件，各半导体组件具有多个第一电性接点及多个第二电性接点，且所述多个第一电性接点与所述多个第二电性接点为对应电性导通，自所述多个半导体组件中取出一个半导体组件，将所述半导体组件固接于所述基板上，使所述半导体组件的所述多个第一电性接点与所述基板的所述多个第二接触点电性连接；

(d)继续自所述多个半导体组件中取出另一个半导体组件，固接于前一个半导体组件上，并使后取出的半导体组件的多个第一电性接点与前一个半导体组件的第二电性接点电性连接；

(e)将所述探针卡的多个探针接触后取出的半导体组件的多个第二电性接点，藉以对后取出的半导体组件进行电性测试；以及

(f)重复步骤(d)及步骤(e)，直至所述多个半导体组件全部测试完毕。

2.根据权利要求1所述的半导体组件堆栈结构测试方法，其特征在于，进一步包含：在步骤(b)之后，将所述探针卡的所述多个探针接触所述基板的所述多个第二接触点，藉以对所述基板进行电性测试。

3.根据权利要求1所述的半导体组件堆栈结构测试方法，其特征在于，进一步包含：在步骤(d)之前，将所述探针卡的所述多个探针接触所述基板上的所述半导体组件的所述多个第二电性接点，藉以对所述半导体组件进行电性测试。

4.根据权利要求1所述的半导体组件堆栈结构测试方法，其特征在于，各半导体组件的所述多个第一电性接点与所述多个第二电性接点是藉由直通硅穿孔电极对应连接导通。

5.根据权利要求1所述的半导体组件堆栈结构测试方法，其特征在于，所述测试底板的所述多个测试接点为全部导通。

6.根据权利要求5所述的半导体组件堆栈结构测试方法，其特征在于，所述测试底板的电位为零参考电位。

7.根据权利要求1所述的半导体组件堆栈结构测试方法，其特征在于，所述测试底板的所述多个测试接点为各自电性独立。

8.一种半导体组件堆栈结构测试方法，包含下列步骤：

(a)提供一测试底板与一探针卡，所述测试底板包含多个测试接点，所述探针卡包含多个探针，所述测试底板与所述探针卡分别连接至一测试装置，以供发送及接收测试讯号；

(b)提供一基板，所述基板包含有多个第一接触点及第二接触点，所述多个第一接触点与所述多个第二接触点相应电性导通，其中所述等第一接触点用以供所述探针卡进行探触；

(c)提供多个半导体组件，各半导体组件具有多个第一电性接点及多个第二电性接点，且所述多个第一电性接点与所述多个第二电性接点为对应电性导通，自所述多个半导体组件中取出一个半导体组件，将所述半导体组件固接于所述基板上，使所述半导体组件的所述多个第一电性接点与所述基板的所述多个第二接触点电性连接；

(d)继续自所述多个半导体组件中取出另一个半导体组件，固接于前一个半导体组件上，并使后取出的半导体组件的多个第一电性接点与前一个半导体组件的第二电性接点电性连接；

(e)将所述后取出的半导体组件的所述多个第二电性接点与所述测试底板的所述多个测试接点电性连接，并将所述探针卡的所述多个探针接触所述基板的所述多个第一接触点，藉以对后取出的半导体组件进行电性测试；以及

(f)重复步骤(d)及步骤(e)，直至所述多个半导体组件全部测试完毕。

9.根据权利要求8所述的半导体组件堆栈结构测试方法，其特征在于，进一步包含：在步骤(d)之前，将所述半导体组件的所述多个第二电性接点与所述测试底板的所述多个测试接点电性连接，并将所述探针卡的所述多个探针接触所述基板的所述多个第一接触点，藉以对所述半导体组件进行电性测试。

10.根据权利要求8所述的半导体组件堆栈结构测试方法，其特征在于，各半导体组件的所述多个第一电性接点与所述多个第二电性接点是藉由直通硅穿孔电极对应连接导通。