[发明专利]一种摆率增强电路以及集成该电路的低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种摆率增强电路，其特征在于，包括，PMOS管M1、M4、M6、M7、M8和NMOS管M2、M3、M5、M9、M10及电阻R3和电容C3，其中，PMOS管M1、M4、M6的栅极均连接外部的第一偏置电压，源极连接外部电源电压，漏极分别连接M2、M3、M5的漏极；PMOS管M7、M8的栅极均连接到M7的漏极，源极均连接外部电源电压，M7的漏极连接到M5和M6的漏极，M8的漏极连接M10的漏极作为摆率增强电路的输出端；NMOS管M2、M3、M5的源极均连接地，M2的漏极连接M1漏极和M2的栅极及R3的一端，电阻R3的另一端连接NMOS管M3的栅极和NMOS管M5的栅极，M3、M5的漏极分别连接M4、M6的漏极，M2的栅极连接M2和M1的漏极；NMOS管M9、M10的源极均接地，M9的漏极和M9及M10的栅极相连又连接到M3和M4的漏极，M10的漏极连接M8的漏极作为摆率增强电路的输出端；电容C3的一端连接NMOS管M3的栅极，另一端作为摆率增强电路的输入端。

2.根据权利要求1所述的摆率增强电路，其特征在于，还包括PMOS管M11和NMOS管M12，其中，NMOS管M12的栅极接外部的第二偏置电压，源极接地，漏极与M11的漏极相连接；PMOS管M11的栅极连接到M11的漏极，源极连接外部电源电压，PMOS管M11的栅极电压作为与PMOS管M4、M6的栅极连接的外部的第一偏置电压。

3.一种集成了权利要求1所述的摆率增强电路的低压差线性稳压器，其特征在于，还包括：运算放大器、调整管、第一电阻、第二电阻、第一电容，其中，运算放大器的反向输入端连接外部的基准电压，输出端连接调整管的栅极和摆率增强电路的输出端；调整管的源极连接外部电源电压，调整管的漏极作为所述低压差线性稳压器的输出端，摆率增强电路的输入端连接低压差线性稳压器的输出端；第一电阻的一端连接低压差线性稳压器的输出端，另一端连接运算放大器的同向输入端；第二电阻一端连接运算放大器的同向输入端，另一端连接地；第一电容一端连接运算放大器的同向输入端，另一端连接低压差线性稳压器的输出端。

4.一种集成了权利要求2所述的摆率增强电路的低压差线性稳压器，其特征在于，还包括：运算放大器、调整管、第一电阻、第二电阻、第一电容，其中，运算放大器的反向输入端连接外部的基准电压，输出端连接调整管的栅极和摆率增强电路的输出端；调整管的源极连接外部电源电压，调整管的漏极作为所述低压差线性稳压器的输出端，摆率增强电路的输入端连接低压差线性稳压器的输出端；第一电阻的一端连接低压差线性稳压器的输出端，另一端连接运算放大器的同向输入端；第二电阻一端连接运算放大器的同向输入端，另一端连接地；第一电容一端连接运算放大器的同向输入端，另一端连接低压差线性稳压器的输出端。

5.根据权利要求4所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述的运算放大器具体包括5个PMOS管M19、M25、M25、M20、M21和5个NMOS管M23、M22、M28、M26、M27，其中，PMOS管M19的栅极连接第三偏置电压，源极连接外部电源电压，漏极与M20、M21的源极相连；PMOS管M20的栅极作为所述运算放大器的反向输入端、PMOS管M21的栅极作为所述运算放大器的同向输入端，源极均连接M19的漏极，漏极分别连接M22漏极、M26和M28漏极；PMOS管M24、M25栅极均连接M24漏极，源极均连接外部电源电压，栅极分别连接M23、M27的漏极；NMOS管M23、M22、M28的栅极均连接M22的漏极，源极均连接，漏极分别连接M24、M20、M21漏极；NMOS管M26、M27的栅极均连接M26的漏极，源极均连接地，漏极分别连接M21、M25的漏极，M25的漏极作为所述运算放大器的输出端。

6.根据权利要求5所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述NMOS管M27的栅极电压作为所述摆率增强电路中的第二偏置电压。