[发明专利]强磁场下制备Sm-Fe合金磁性薄膜的方法有效
| 申请号： | 201110373059.1 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102400191A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 娄长胜;张伟强;寇荧;张罡 | 申请（专利权）人： | 沈阳理工大学 |
| 主分类号： | C25D3/56 | 分类号： | C25D3/56;C25D5/00;H01F1/055;H01F10/12;H01F41/26 |
| 代理公司： | 沈阳利泰专利商标代理有限公司 21209 | 代理人： | 李枢 |
| 地址： | 110159 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁场 制备 sm fe 合金 磁性 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.强磁场下制备Sm-Fe合金磁性薄膜的方法，其特征是采用水溶液介质电解共沉积法制造，该方法包括以下工艺步骤：
a.对基片进行如下预处理：有机溶剂除油、浸蚀、活化处理后超声清洗烘干；
b.配制水溶液电解介质，其主要溶剂为SmCl3、FeSO4·7H2O、H3NO3S、C2HNO2、H3BO3、NaCl，以C6H8O7和NaOH调节pH值至1～6；以水浴方式对电解槽进行加温；
c.以预处理后的基片和石墨(铂)分别作为阴极和阳极水浴电解槽中，连接脉冲电源，保持恒位电压；
d.通过超导线圈施加1～10T(特斯拉)的强磁场，接通电源开始进行电解过程，反应时间为10～60分钟；
e.采用上述的方法可制得不同厚度的Sm-Fe合金薄膜。
2.根据权利要求1所述的强磁场下Sm-Fe合金磁性薄膜的制备方法，其特征在于所述的基片为铜片、ITO导电玻璃。
3.根据权利要求1所述的强磁场下Sm-Fe合金磁性薄膜的制备方法，其特征在于将获取的Sm-Fe合金薄膜在超导强磁场下进行热处理，处理温度为300～500℃，处理时间30～90分钟，得到具有一定取向的薄膜。
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