[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括

形成漏极电极；

形成源极电极；

于接触漏极电极和源极电极之间，在含有氧气的气氛中通过气相成膜法予以形成含有In、Ga、Zn结晶状态的组成为以InGaO₃(ZnO)_m表示的非晶形氧化物薄膜作为沟道层，原子数比是In∶Ga∶Zn＝1∶1∶m；其中m＜6；前述气相成膜法是在不添加供提高电阻而用的杂质离子的含有氧气的气氛中，且在氧气分压下形成的非晶形氧化物薄膜，所述薄膜在室温的电子移动度是0.1cm²/(V·秒)以上，电子载流子厚度10¹⁶/cm³以下，传导系数10^-2Scm^-1以下，前述非晶形氧化物是含有In、Ga、Zn结晶状态的组成为以InGaO₃(ZnO)_m表示的氧化物，原子数比是In∶Ga∶Zn＝1∶1∶m；其中m＜6。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述沟道层是采用在含有氧气的气氛中通过气相成膜法予以形成的非晶形氧化物薄膜，所述薄膜在室温的电子移动度是0.1cm²/(V·秒)以上，电子载流子厚度10¹⁶/cm³以下，传导系数10^-2Scm^-1以下，前述非晶形氧化物是含有In、Ga、Zn和Mg的结晶状态的组成为InGaO₃(Zn_1-xMg_xO)_m表示的氧化物，原子数比是In∶Ga∶Zn_1-xMg_x＝1∶1∶m；其中m＜6，0.8≤x＜0.85。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述沟道层是采用在含有氧气的气氛中通过气相成膜法予以形成的非晶形氧化物薄膜，所述薄膜是采用在室温的电子移动度是0.1cm²/(V·秒)以上，电子载流子厚度10¹⁶/cm³以下，传导系数10^-2Scm^-1以下，其中前述非晶形氧化物是由In_xGa_1-x氧化物，其中0≤x≤1、In_xZn_1-x氧化物，其中0.2≤x≤1、In_xSn_1-x氧化物，其中0.8≤x≤1或In_x(Zn、Sn)_1-x氧化物，其中In_xSn_1-x氧化物，其中0.8≤x≤1或In_x(Zn、Sn)_1-x氧化物，其中0.15≤x≤1选出的非晶形氧化物。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述非晶形氧化物是采用Al₂O₃、Y₂O₃或HfO₂的一种为栅极极絶缘层的常闭特性。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述非晶形氧化物是设于玻璃基板、金属基板、塑料基板或塑料薄膜上。