[发明专利]内容可寻址存储器存储单元匹配线的检测电路和方法

权利要求书

1.一种内容可寻址存储器的存储单元匹配线的检测电路，包括若干或非存储单元、均衡电路(81)、预放电电路(82)、敏感放大器(83)和输出电路(84)，其中所述若干或非存储单元并联形成第一匹配线(MLA)和第二匹配线(MLB)，所述预放电电路(82)与所述第二匹配线(MLB)连接，所述均衡电路(81)连接于所述第一匹配线(MLA)和第二匹配线(MLB)之间，所述第一匹配线(MLA)和第二匹配线(MLB)连接于所述敏感放大器(83)，所述敏感放大器(83)连接于所述输出电路(84)，由所述输出电路(84)输出匹配信号(MLSO)。

2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于：

所述均衡电路(81)包括第一N型MOS管(N1)，所述MOS管(N1)连接于所述第一匹配线(MLA)和所述第二匹配线(MLB)之间；

所述预放电电路(82)包括第二N型MOS管(N2)，所述MOS管(N2)连接于所述第二匹配线(MLB)和低电源电平；

所述敏感放大器(83)包括第一至第三P型MOS管(P1-P3)和第三至第六N型MOS管(N3-N6)，所述MOS管(P1)的栅极连接于信号，源极连接于高电源电平，漏极与所述MOS管(P2)、所述MOS管(P3)的源极连接，所述MOS管(P2)的栅极与所述第一匹配线(MLA)连接，漏极与所述N型MOS管(N3)的漏极连接于节点B，所述N型MOS管(N3)与所述MOS管(N5)串联连接，所述MOS管(N5)的源极连接于第二匹配线(MLB)，所述MOS管(P3)的漏极与所述MOS管(N4)的漏极连接于节点A，所述MOS管(N4)的栅极与所述MOS管(N3)的栅极连接于所述节点A，形成普通的电流镜，所述MOS管(N4)与MOS管(N6)串联连接，所述MOS管(N6)的栅极与所述MOS管(N5)的栅极连接于EVAL信号，所述MOS管(N6)的源极连接于所述第一匹配线(MLA)；

所述输出电路(84)包括第四P型MOS管(P4)、第七至N型MOS管(N7)、第八N型MOS管(N8)和第十N型MOS管(10)，所述MOS管(N8)的栅极和漏极连接于高电源电平，源极连接于所述MOS管(P4)的源极，所述MOS管(P4)的栅极、所述MOS管(N7)的栅极和所述MOS管(N10)的漏极连接于所述节点B，所述MOS管(P4)的漏极与所述MOS管(N7)的漏极连接，并输出匹配信号(MLSO)，所述MOS管(N7)的源极与所述MOS管(N10)的源极相连接于低电源电平，所述MOS管(N10)的栅极连接于所述信号。

3.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于：所述输出电路(84)的MOS管(N10)到节点B间增加第九N型MOS管(N9)，所述MOS管(N9)的栅极连接于所述MOS管(P4)的漏极和所述MOS管(N7)的漏极，所述MOS管(P9)的源极连接于所述节点B，所述MOS管(P9)的漏极连接于所述MOS管(N10)。