[发明专利]增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法

权利要求书

1.一种形成氮化硅的方法，该方法包含：

配置含表面的基板于制程室中；及

将于所述制程室内的所述表面于含氢等离子中曝露于含硅前导物，而将氧化硅沉积于所述表面上。

2.如权利要求1所述的方法，其中上述的含氢等离子是于一含有分子型态氢的混合气体中形成。

3.如权利要求1所述的方法，其中上述的含氢等离子包含至少一前导物，是选自含锗前导物及含碳前导物。

4.如权利要求2所述的方法，其中上述的混合气体还包含氩。

5.如权利要求4所述的方法，其中上述的混合气体还包含至少一成分，该至少一成分是选自分子型态氮、氙、及氪。

6.如权利要求1所述的方法，其中上述的氮化硅具有一2.8GPa或更高的压缩应力。

7.一种避免元件内的缺陷的方法，该方法包含：

在无氢气流的状态下，于表面上沉积氮化硅初始层；

在氢气流存在下，将高压缩应力氮化硅层沉积在所述氮化硅初始层上；及

以稀释的NF₃等离子，回蚀所述高压缩应力氮化硅层。

8.如权利要求7所述的方法，其中上述的回蚀制程与所述高压缩应力沉积制程是执行于相同的腔室内。

9.如权利要求7所述的方法，其中上述的回蚀制程是经调整以使隔离区上出现较高的蚀刻率。

10.如权利要求7所述的方法，其中上述的高压缩应力氮化硅层具有2.8GPa或更高的压缩应力。