[发明专利]防止反溅射物质剥落的靶材及膜层的形成方法无效
| 申请号： | 201110374219.4 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102383100A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;郑文翔 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 溅射 物质 剥落 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止反溅射物质剥落的靶材，其特征在于，所述靶材的待溅射表面的边缘处具有滚花区。
2.如权利要求1所述的靶材，其特征在于，所述滚花区从所述靶材的最外沿往靶材圆心方向延伸，其宽度和所述靶材直径的比例为1∶25。
3.如权利要求1所述的靶材，其特征在于，滚花的间隙为1±0.1mm，深度为0.5±0.1mm。
4.如权利要求1所述的靶材，其特征在于，所述靶材为半导体工艺中的磁控溅射靶材。
5.如权利要求4所述的靶材，其特征在于，所述靶材为钛靶、钽靶中任一种。
6.如权利要求1所述的靶材，其特征在于，所述靶材的尺寸为6寸、8寸、10寸、12寸中任一种。
7.一种膜层的形成方法，其特征在于，包括：
提供靶材，所述靶材的待溅射表面的边缘处具有滚花区；
利用所述靶材进行溅射。
8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述滚花区从所述靶材的最外沿往靶材圆心方向延伸，其宽度和所述靶材直径的比例为1∶25。
9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，滚花的间隙为1±0.1mm，深度为0.5±0.1mm。
10.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述靶材为钛靶、钽靶中任一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波江丰电子材料有限公司，未经宁波江丰电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110374219.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
