[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201110374419.X | 申请日: | 2011-11-22 |
公开(公告)号: | CN103137882A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;冯小明;张振华 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,其包括依次层叠的基底、阳极、发光层及阴极,其特征在于,所述阳极包括依次层叠在所述基底上的第一金属层、介质层及第二金属层,所述第一金属层的材料为铝、银、金、铝银合金或镁银合金,所述第一金属层的厚度为80nm~150nm,所述介质层的材料为透明导电氧化物,所述介质层的厚度为60nm~100nm,所述第二金属层的材料为铝、银或金,所述第二金属层的厚度为6nm~12nm。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述介质层的材料为铟掺杂氧化锡、氧化锌、铟掺杂氧化锌、铝掺杂氧化锌或镓掺杂氧化锌。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阴极的材料为银、铝、钐或镱。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阴极的厚度为18nm~30nm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件还包括依次层叠在所述阳极上的空穴注入层和空穴传输层,所述空穴注入层及所述空穴传输层位于所述阳极及所述发光层之间,所述空穴注入层的材料为4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺,所述空穴传输层的材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件还包括依次层叠在所述发光层上的电子传输层和电子注入层,所述电子传输层及所述电子注入层位于所述发光层及所述阴极之间,所述电子传输层的材料为(8-羟基喹啉)-铝,所述电子注入层的材料为氟化锂。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材料包括主体和掺杂客体,所述主体为4,4′-N,N-二咔唑基-联苯,所述掺杂客体为二(4,6-二氟苯基-N,C2)吡啶甲酰合铱,所述掺杂客体的质量百分比为8%。
8.一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
步骤一、提供基底;
步骤二、在所述基底表面形成第一金属层,所述第一金属层的材料为铝、银、金、铝银合金或镁银合金,所述第一金属层的厚度为80nm~150nm;
步骤三、在所述第一金属层表面形成介质层,所述介质层的材料为透明导电氧化物,所述介质层的厚度为60nm~100nm;
步骤四、在所述介质层表面形成第二金属层,所述第二金属层的材料为铝、银或金,所述第二金属层的厚度为6nm~12nm;
步骤五、在所述第二金属层表面形成发光层;及
步骤六、在所述发光层表面形成阴极。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述介质层的材料为铟掺杂氧化锡、氧化锌、铟掺杂氧化锌、铝掺杂氧化锌或镓掺杂氧化锌。
10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述阴极的材料为银、铝、钐或镱,所述阴极的厚度为18nm~30nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择