[发明专利]非水电解质电池及其制造方法、绝缘材料及其制造方法、电池组、电子装置及电动车辆有效
申请号: | 201110374577.5 | 申请日: | 2011-11-22 |
公开(公告)号: | CN102969532A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 西本淳 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01M10/058 | 分类号: | H01M10/058;H01M10/05;B60L11/18;H01B3/44 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张英;吴胜周 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 水电 电池 及其 制造 方法 绝缘材料 电池组 电子 装置 电动 车辆 | ||
1.一种非水电解质电池,包括:
正极,
负极,
存在于所述正极和所述负极之间的绝缘层,以及
电解液保持层,其构成所述绝缘层并且包括电解液和多孔高分子化合物,
其中,所述电解液保持在所述多孔高分子化合物的孔隙中并且溶胀所述多孔高分子化合物,
所述多孔高分子化合物的材料包括偏二氟乙烯聚合物,
所述偏二氟乙烯聚合物是偏二氟乙烯均聚物或包括偏二氟乙烯单体单元和六氟丙烯单体单元的共聚物,
所述偏二氟乙烯聚合物的单体单元的质量组成比,或偏二氟乙烯单体单元∶六氟丙烯单体单元为100∶0至95∶5,并且
所述偏二氟乙烯聚合物的重均分子量为50万以上且低于150万。
2.根据权利要求1所述的非水电解质电池,其中,所述绝缘层由多孔基底材料层和形成在所述多孔基底材料层的至少一个表面上的所述电解液保持层构成。
3.根据权利要求1所述的非水电解质电池,其中,所述多孔高分子化合物的透气性为500s/100cc以下。
4.根据权利要求2所述的非水电解质电池,其中,所述多孔基底材料层包括多孔聚烯烃类树脂。
5.根据权利要求1所述的非水电解质电池,其中,所述偏二氟乙烯聚合物的重均分子量为75万以上且低于150万。
6.根据权利要求1所述的非水电解质电池,其中,所述多孔高分子化合物的透气性为300s/100cc以下。
7.根据权利要求1所述的非水电解质电池,其中,所述电解液保持层进一步包括无机颗粒,并且所述偏二氟乙烯聚合物与所述无机颗粒的质量比,或所述偏二氟乙烯聚合物的质量∶所述无机颗粒的质量为1∶1至1∶10。
8.根据权利要求2所述的非水电解质电池,其中,所述多孔高分子化合物通过在多孔基底材料上涂覆包含溶解在由极性有机溶剂构成的第一溶剂中的所述偏二氟乙烯聚合物的溶液并将经涂覆的所述多孔基底材料浸渍在第二溶剂中而形成,所述第二溶剂与所述第一溶剂相容且对于所述偏二氟乙烯聚合物是弱溶剂。
9.根据权利要求1所述的非水电解质电池,包括层压膜状外包装体。
10.一种非水电解质电池的制造方法,包括以下步骤:
通过在多孔基底材料上涂覆包含溶解在由极性有机溶剂构成的第一溶剂中的高分子材料的溶液,并将经涂覆的所述多孔基底材料浸渍在第二溶剂中,从而在所述多孔基底材料上形成多孔高分子化合物,所述第二溶剂与所述第一溶剂相容并且相对于所述高分子材料是弱溶剂;
制造具有正极、负极和形成有所述多孔高分子化合物的所述多孔基底材料的电极体,形成有所述多孔高分子化合物的所述多孔基底材料存在于所述正极和所述负极之间;以及
将所述电极体容纳在外包装体中,将电解液注入到所述外包装体中,然后进行热压,
所述高分子材料包括偏二氟乙烯聚合物,所述偏二氟乙烯聚合物是偏二氟乙烯均聚物或包括偏二氟乙烯单体单元和六氟丙烯单体单元的共聚物,
所述偏二氟乙烯聚合物的单体单元的质量组成比,或偏二氟乙烯单体单元∶六氟丙烯单体单元为100∶0至95∶5,并且
所述偏二氟乙烯聚合物的重均分子量为50万以上且低于150万。
11.根据权利要求10所述的非水电解质电池的制造方法,
其中,所述第一溶剂是选自由N-甲基-2-吡咯烷酮、γ-丁内酯、N,N-二甲基乙酰胺和N,N-二甲基亚砜组成的组中的任一种,并且
所述第二溶剂是选自由水、乙醇和丙醇组成的组中的任一种。
12.一种绝缘材料,包括:
多孔高分子化合物,
其中,所述多孔高分子化合物能够将电解液保持在孔隙中,并且能够通过所述电解液而溶胀,
所述多孔高分子化合物的材料包括偏二氟乙烯聚合物,
所述偏二氟乙烯聚合物是偏二氟乙烯均聚物或包括偏二氟乙烯单体单元和六氟丙烯单体单元的共聚物,
所述偏二氟乙烯聚合物的单体单元的质量组成比,或偏二氟乙烯单体单元∶六氟丙烯单体单元为100∶0至95∶5,并且
所述偏二氟乙烯聚合物的重均分子量为50万以上且低于150万。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110374577.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。