[发明专利]一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法

权利要求书

1.一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)提供一需制作非感光性聚酰亚胺钝化层的基片；

(2)在基片上进行非感光性聚酰亚胺的旋涂、烘烤；

(3)采用低温氧化法生长二氧化硅薄膜层；

(4)光刻胶的旋涂、烘烤；

(5)曝光及显影获得光刻胶图形；

(6)以光刻胶图形为刻蚀掩膜层，刻蚀二氧化硅薄膜层形成图形；

(7)剥离去除光刻胶；

(8)以图形化的二氧化硅薄膜层为刻蚀掩膜层，干法刻蚀非感光性聚酰亚胺以形成钝化层图形；

(9)用干法回刻的方法去除二氧化硅薄膜层；

(10)固化后获得非感光性聚酰亚胺钝化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述基片上的顶层金属连线已经形成，或者所述基片上的顶层金属连线以及介质层钝化膜的图形已经形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的非感光性聚酰亚胺是指其对波长436纳米的G-line，波长365纳米的I-line，波长248纳米的KrF和波长193纳米的ArF中的任意一种或多种光不具有光敏性。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的非感光性聚酰亚胺旋涂、烘烤后的薄膜厚度为1-50微米，其烘烤温度为50-200℃，烘烤时间为30秒-5小时。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述烘烤温度为130℃，烘烤时间为5分钟。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的低温氧化法包括等离子体化学气相淀积或光能化学气相淀积方法，其反应温度低于400℃。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的低温氧化法是指一种高密度的等离子体化学气相淀积，反应气体包括硅烷，氧气和氩气，反应温度为80-150℃，气体压力为0.5-20毫托，射频功率为500-2000瓦。

8.根据权利要求1或6或7所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的二氧化硅薄膜层的厚度为50-5000埃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述的光刻胶旋涂、烘烤后的厚度为0.5-10微米。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述的曝光光源是波长436内米的G-line，波长365内米的I-line，波长248内米的KrF和波长193内米的ArF中的任意一种。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述的曝光光源是波长365内米的I-line。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(8)中，所述的干法刻蚀是以氧气为主要刻蚀气体的等离子体干法刻蚀，其氧气流量为50～2000标准状态的立方厘米/分钟，源射频功率为100～1500瓦，气体压力为20～2000毫托。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(10)中，所述的固化温度为200-500℃，固化时间为30-120分钟。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在步骤(10)中，所述的固化温度为400℃，固化时间为60分钟。