[发明专利]半导体工艺中制作细长型孤立线条图形的方法

权利要求书

1.一种半导体工艺中制作细长型孤立线条图形的方法，其特征在于，采用光刻胶剥离工艺且在该工艺中引入可显影底部抗反射材料来获得所需的细长型孤立线条，该方法包括如下步骤：

(1)提供一需要制作细长型孤立线条图形的基片；

(2)在所述基片上进行可显影底部抗反射材料的旋涂和烘烤；

(3)进行光刻胶的旋涂和烘烤；

(4)曝光及显影，去除曝光部分光刻胶和可显影底部抗反射材料，形成类T字形上宽下窄的光刻胶和可显影底部抗反射材料的组合图形；

(5)使用低温淀积或低温溅射的方法在基片及光刻胶图形上生长一层相互断开的薄膜层；

(6)使用光刻胶剥离液去除光刻胶和可显影底部抗反射材料，同时去除光刻胶上面的薄膜层，而保留基片上的薄膜层，形成细长型孤立线条。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的细长型孤立线条的线宽为0.3-10微米，长度大于9微米，长宽比大于30。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的细长型孤立线条的线宽为0.5微米，长度为20微米。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的可显影底部抗反射材料不能溶于步骤(3)所述的光刻胶所使用的溶剂，但可以溶于常用的四甲基氢氧化铵显影液和常用的光刻胶剥离液。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的可显影底部抗反射材料是指能够减少波长365纳米的I-line，波长248纳米的KrF和波长193纳米的ArF中任意一种光的反射的材料。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的可显影底部抗反射材料旋涂和烘烤后的厚度为0.2-30微米。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的光刻胶为正性或负性光刻胶，其曝光波长为436纳米的G-line或365纳米的I-line或248纳米的KrF或193纳米的ArF。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述的薄膜层是指可以使用低温淀积或低温溅射的方法在光刻胶表面上生长的材料，所述的低温是指低于250℃的温度。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的薄膜层是指以下介质膜：二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；或者所述的薄膜层是指以下金属膜：铝、铜、金、钛、镍、银、铂、铬或其组合。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的薄膜层的材料就是形成所述的细长型孤立线条图形的材料。

11.根据权利要求1或8或9或10所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述的薄膜层的厚度为0.1-30微米，且所述的薄膜层的厚度要小于步骤(2)所述的可显影底部抗反射材料的厚度。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(6)中，所述的光刻胶剥离液既能剥离步骤(2)所述的可显影底部抗反射材料，又可以剥离步骤(3)所述的光刻胶。

13.根据权利要求1或12所述的方法，其特征在于，在步骤(6)中，所述的光刻胶剥离液是指N-甲基吡咯烷酮和/或γ-丁内酯和/或乳酸乙酯。