[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜晶体管，包括衬底，在衬底上形成有栅电极，在衬底和栅电极上形成有栅绝缘层，在栅绝缘层上对应于栅电极的部分形成有沟道层，在沟道层和栅绝缘层上面覆盖有保护层，在保护层的刻蚀孔和沟道层上形成有源电极和漏电极，其特征在于，

所述保护层分为第一保护层和第二保护层两层，第一保护层覆盖在沟道层和栅绝缘层上面，第二保护层覆盖在第一保护层上面，第二保护层的硬度和致密性大于第一保护层。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，

第一保护层为有机材料薄膜，第二保护层为硬度和致密性大于第一保护层的无机材料薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，

第一保护层为旋涂聚酰亚胺或PVA，第二保护层为SiNx、SiO₂或Ta₂O₅。

4.根据权利要求1或2所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，

所述衬底是硅基板、玻璃基板或塑料基板。

5.根据权利要求1或2所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅电极是Mo单层、包括Mo层的多金属层、包括Ti的金属层或包括Cu、Au的金属层。

6.根据权利要求1或2所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅绝缘层是氮化硅或氧化硅层。

7.根据权利要求1或2所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，

所述沟道层是氧化物半导体材料层。

8.根据权利要求7所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，

所述沟道层是Zn氧化物半导体层。

9.一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.在衬底上形成栅电极；

二.在衬底和栅电极上形成栅绝缘层；

三.在栅绝缘层上对应于栅电极的部分形成沟道层；

四.在沟道层和绝缘栅层上涂覆第一保护层；

五.在第一保护层上生长第二保护层，第二保护层的硬度和致密性大于第一保护层；

六.在包括第一保护层及第二保护层的保护层上进行光刻工艺制备出刻蚀孔，接着在刻蚀孔处和沟道层上形成源电极和漏电极。

10.根据权利要求9所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，

第一保护层为旋涂聚酰亚胺或PVA，第二保护层为SiNx、SiO₂或Ta₂O₅，第一保护层采用低温涂覆方法形成，第二保护层采用物理气相沉积方式或化学气相沉积方式形成；

通过溅射法或溶液法形成Zn氧化物半导体材料层作为沟道层。