[发明专利]具有电路的复合式金属陶瓷基板的制法及其结构无效
申请号: | 201110375140.3 | 申请日: | 2011-11-16 |
公开(公告)号: | CN103117335A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 方学智;邓焕平;洪迪恩 | 申请(专利权)人: | 和淞科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电路 复合 金属陶瓷 制法 及其 结构 | ||
1.一种具有电路的复合式金属陶瓷基板的制法,其特征在于,包括下列步骤:
a、提供金属基板;
b、对金属基板进行前处理,以去除金属基板表面的各种物质及油污;
c、将陶瓷材料喷涂溅镀到金属基板表面,并将金属基板完全包覆住;
d、对金属基板进行干燥处理;以及
e、于陶瓷层上形成所需电路。
2.根据权利要求1项所述的具有电路的复合式金属陶瓷基板的制法,其特征在于,步骤a的金属基板具有至少一穿孔,该金属基板为铝、钛或镁任一种所构成,步骤b前处理包含脱脂、除污或除锈任一种。
3.根据权利要求1所述的具有电路的复合式金属陶瓷基板的制法,其特征在于,步骤c是使用等离子熔射、喷涂或等离子氧化烧结的其中任一种方式,并利用不同电压功率、电流大小、脉波频率大小而将陶瓷材料喷涂溅镀到金属基板表面。
4.根据权利要求1所述的具有电路的复合式金属陶瓷基板的制法,其特征在于,步骤c的陶瓷材料为氧化铝、氮化铝或氮化硼复合组成。
5.根据权利要求1所述的具有电路的复合式金属陶瓷基板的制法,其特征在于,步骤d后还包括步骤d1,该步骤d1为于该陶瓷层上进行蚀刻并形成一线路路径,该步骤e中,该电路形成在该线路路径上。
6.根据权利要求1所述的具有电路的复合式金属陶瓷基板的制法,其还包括步骤f,该步骤f为将电子元件结合在该电路上。
7.一种具有电路的复合式金属陶瓷基板结构,其特征在于,包括:
一金属基板;
一陶瓷披覆层,将金属基板完全包覆住;
一电路,设于陶瓷披覆层上;以及
至少一电子元件,结合于电路上。
8.根据权利要求7所述的具有电路的复合式金属陶瓷基板结构,其特征在于,金属基板具有至少一穿孔,为铝、钛或镁任一种所构成。
9.根据权利要求7所述的具有电路的复合式金属陶瓷基板结构,其特征在于,陶瓷披覆层为氧化铝、氮化铝或氮化硼复合组成。
10.根据权利要求7所述的具有电路的复合式金属陶瓷基板结构,其特征在于,陶瓷披覆层完全包覆住金属基板后的厚度在6mm以上。
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